[发明专利]金属硅化物形成方法有效
| 申请号： | 201110222841.3 | 申请日： | 2011-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102915918A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 孙晓峰;高永亮;丁海滨 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属硅 形成 方法 | ||
1.一种金属硅化物形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上具有栅区、源区和漏区；
在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层；
在所述金属硅化物阻挡层上形成具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层；
以所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺对金属硅化物阻挡层进行刻蚀，并保留预设厚度的金属硅化物阻挡层，所述预设厚度为
以所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层为掩膜，采用DHF溶液进行第一次湿法刻蚀；
去除所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层；
在所述衬底上形成金属硅化物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设厚度为
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用DHF溶液进行第一次湿法刻蚀的时间为180s。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成金属硅化物，具体包括：
在所述衬底上沉积金属；
对所述衬底进行退火处理；
去除衬底上栅区、源区和漏区之外的金属，进而在衬底的栅区、源区和漏区上形成金属硅化物。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在去除所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层之后，在所述衬底上形成金属硅化物之前，还包括：
采用DHF溶液进行第二次湿法刻蚀。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，采用DHF溶液进行第二次湿法刻蚀的时间为60s。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在采用DHF溶液进行第二次湿法刻蚀之后，在所述衬底上形成金属硅化物之前，还包括：
采用反溅射方法去除衬底上的自然氧化层。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，采用DHF溶液进行第一次湿法刻蚀和第二次湿法刻蚀过程中，刻蚀速率均为
9.根据权利要求1～8任一项所述的方法，其特征在于，所述DHF溶液中氢氟酸与水的体积比为1∶100。
10.根据权利要求1～8任一项所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层的厚度为
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