[发明专利]金属硅化物形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件制作工艺技术领域，更具体地说，涉及一种金属硅化物形成方法。

背景技术

半导体器件制造过程中，器件的制造工艺流程包括步骤：(1)栅介质层、栅极的形成；(2)LDD(轻掺杂漏)光刻、注入；(3)侧墙形成；(4)S/D(源/漏)光刻、注入；(5)SAB(Salicide Block，金属硅化物阻挡层)沉积、光刻、刻蚀；(6)Salicide(硅化物)金属工艺，形成金属接触。

传统工艺中在对SAB刻蚀时多采用BOE溶液(氢氟酸和氟化氨的混合溶液)，所述BOE溶液容易通过光刻胶而侵入被光刻胶所保护的SAB中，光刻胶所保护的SAB被BOE溶液腐蚀后将会导致后续形成Salicide时使器件之间短路，进而导致器件失效。

因此，现有工艺中多采用DHF溶液(稀释的氢氟酸溶液)来代替BOE溶液，所述DHF溶液不容易通过光刻胶而侵入无需刻蚀的SAB中，进而可解决BOE溶液所带来的问题。但是，采用DHF溶液刻蚀后，器件的失效率仍然较高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种金属硅化物形成方法，以减小器件的失效率。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种金属硅化物形成方法，该方法包括：

提供衬底，所述衬底上具有栅区、源区和漏区；

在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层；

在所述金属硅化物阻挡层上形成具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层；

以所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层为掩膜，采用干法刻蚀工艺对金属硅化物阻挡层进行刻蚀，并保留预设厚度的金属硅化物阻挡层，所述预设厚度为

以所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层为掩膜，采用DHF溶液进行第一次湿法刻蚀；

去除所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层；

在所述衬底上形成金属硅化物。

优选的，上述方法中，所述预设厚度为

优选的，上述方法中，采用DHF溶液进行第一次湿法刻蚀的时间为180s。

优选的，上述方法中，在所述衬底上形成金属硅化物，具体包括：

在所述衬底上沉积金属；

对所述衬底进行退火处理；

去除衬底上栅区、源区和漏区之外的金属，进而在衬底的栅区、源区和漏区上形成金属硅化物。

优选的，上述方法中，在去除所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层之后，在所述衬底上形成金属硅化物之前，还包括：

采用DHF溶液进行第二次湿法刻蚀。

优选的，上述方法中，采用DHF溶液进行第二次湿法刻蚀的时间为60s。

优选的，上述方法中，在采用DHF溶液进行第二次湿法刻蚀之后，在所述衬底上形成金属硅化物之前，还包括：

采用反溅射方法去除衬底上的自然氧化层。

优选的，上述方法中，采用DHF溶液进行第一次湿法刻蚀和第二次湿法刻蚀过程中，刻蚀速率均为

优选的，上述方法中，所述DHF溶液中氢氟酸与水的体积比为1∶100。

优选的，上述方法中，在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层的厚度为

从上述技术方案可以看出，本发明所提供的金属硅化物形成方法，首先在衬底上形成金属硅化物阻挡层；之后在所述金属硅化物阻挡层上形成具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层；接着以所述具有栅区、源区和漏区图案的光刻胶层为掩膜进行干法刻蚀，干法刻蚀后保留预设厚度的金属硅化物阻挡层，本发明中设置所述预设厚度为然后采用DHF溶液进行第一次湿法刻蚀，所述第一次湿法刻蚀主要是刻蚀掉剩余的预设厚度的金属硅化物阻挡层，由于所述预设厚度为因此，第一次湿法刻蚀的时间可以相对较少，进而减少了光刻胶层被DHF溶液浸泡的时间，减少了光刻胶层发生漂移的几率，从而可使所述光刻胶层能够很好地保护其下方的金属硅化物阻挡层免被刻蚀，避免在后续形成金属硅化物(Salicide)时在不需要形成Salicide的地方形成Salicide，因此，减小了器件失效的几率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的正常情况下光刻胶层不发生漂移的器件的结构示意图；