[发明专利]衬底和使用该衬底的方法

权利要求书

1.一种从用于光刻中的设备去除污染物的方法，所述方法包括：

将衬底装载到所述设备中，以将污染物吸引到所述衬底上，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域配置用于吸引污染物，所述第二区域带有与所述第一区域不同的极性或电荷，所述第一区域和第二区域中的每个区域属于以下四种情况中的一种：

带极性且带正电荷、带极性且带负电荷、非极性的并且带正电荷、以及带非极性并且带负电荷；以及

将所述衬底从所述设备中卸载。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述污染物将被从至少部分地被所述设备所容纳的流体中去除。

3.根据权利要求2所述的方法，包括将所述衬底置于流体附近，或与所述流体接触，其中污染物将从所述流体中被去除。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

引入在所述衬底和流体之间的相对运动，其中污染物将从所述流体中被去除。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述设备是光刻设备的浸没罩。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述流体是浸没流体。

7.一种适合于从用于光刻中的设备去除污染物的衬底，所述衬底的尺寸被设计成适合于被光刻设备处理，所述衬底包括：

第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域配置用于吸引污染物，所述第二区域带有与所述第一区域不同的极性或电荷，所述第一区域和第二区域中的每个区域属于以下四种情况中的一种：

带极性且带正电荷、带极性且带负电荷、非极性的且带正电荷、非极性的且带负电荷。

8.根据权利要求7所述的衬底，其中所述第一区域和所述第二区域在所述衬底上被重复。

9.根据权利要求7所述的衬底，其中所述衬底包括第三区域，所述第三区域带有与所述第一区域和所述第二区域不同的极性或电荷，所述第三区域属于以下四种情况中的一种：

带极性的且带正电荷、带极性的且带负电荷、非极性的且带正电荷、非极性的且带负电荷。

10.根据权利要求9所述的衬底，其中所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域在所述衬底上被重复。

11.根据权利要求7所述的衬底，其中所述衬底包括第四区域，所述第四区域带有与所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域不同的极性或电荷，所述第四区域属于以下四种情况中的一种：

带极性的且带正电荷、带极性的且带负电荷、非极性的且带正电荷、非极性的且带负电荷。

12.根据权利要求11所述的衬底，其中所述第一区域、所述第二区域、所述第三区域和所述第四区域在所述衬底上被重复。

13.根据权利要求7所述的衬底，其中所述第一区域和所述第二区域形成下列之一：

棋盘状图案、同心环阵列、环的阵列、环段的阵列、线性带状阵列。

14.根据权利要求7所述的衬底，其中带极性且带正电荷的区域由胺功能化的硅表面提供。

15.根据权利要求7所述的衬底，其中带极性且带负电荷的区域由硅表面提供。

16.根据权利要求7所述的衬底，其中非极性的且带正电荷的区域由六甲基二硅胺烷处理过的胺功能化的硅表面提供。

17.根据权利要求7所述的衬底，其中非极性的且带负电荷的区域由六甲基二硅胺烷处理过的硅表面提供。