[发明专利]衬底和使用该衬底的方法

说明书

本申请是于2008年7月8日递交的、申请号为200810136032.9、发明名称为“衬底和使用该衬底的方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种衬底和使用这种衬底的方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成对应于所述IC的单层的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上，所述衬底具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层。通常，单独的衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。

在光刻中所面临的最大的问题之一是污染。例如，衬底的污染可能增加在衬底上的一个图案或多个图案中的缺陷的数量。在透镜元件上的污染可能使其难于精确地将图案应用到衬底上。污染可能出问题的另一种情况是浸没式光刻。在浸没式光刻中，浸没流体被用于增加用于光刻设备中的投影系统的数值孔径。因此，浸没流体可以被用在投影系统的最终元件及其衬底之间。浸没流体可以被抗蚀剂或者其它材料的颗粒或薄片污染，所述抗蚀剂或者其它材料的颗粒或薄片从衬底或从沉积到衬底上的层分离出来。这种污染可能使得将(图案化的)辐射束精确地经由浸没流体投影到衬底上的操作变得十分困难或成为不可能。

发明内容

旨在提供例如至少一种衬底以及使用所述至少一种衬底的至少一种方法，所述衬底消除或减轻了在本文中或其它处所指出的现有技术中的至少一个问题。

根据本发明的一个方面，提供一种从用于光刻中的设备去除污染物的方法，所述方法包括：将衬底装载到所述设备中，所述衬底包括刚性支撑层以及设置在所述刚性支撑层上的可变形层；将所述衬底的所述可变形层与所述设备的表面形成接触，污染物将从所述设备的所述表面上去除；引起在所述可变形层和所述设备的将被去除的污染物所在的所述表面之间的相对运动以将污染物从所述表面移除；以及去除被移除的污染物。

根据本发明的一个方面，提供一种适用于从用于光刻中的设备去除污染物的衬底，所述衬底的尺寸被设计成适合于被光刻设备所处理，所述衬底包括：刚性支撑层；以及设置在所述刚性支撑层上的可变形层。

根据本发明的一个方面，提供一种从至少部分地被用在光刻中的设备所容纳的流体去除污染物的方法，所述方法包括：将衬底装载到所述设备中，所述衬底包括一系列凸起或凹陷，所述一系列凸起或凹陷相对于所述流体是易被浸湿的或不易被浸湿的，以促进污染物从所述流体转移到用于清洁的衬底；将所述衬底置于将被去除的污染物所在的流体附近，以使得所述污染物被从所述流体去除，并被沉积到所述凸起上或所述凹陷中；以及将所述衬底从所述设备中卸载。

根据本发明的一个方面，提供一种适合于从至少部分地被用于光刻中的设备所容纳的流体中去除污染物的衬底，所述衬底的尺寸被设计成适合于被光刻设备处理，所述衬底包括一系列凸起或凹陷，所述凸起或凹陷相对于所述流体是易被浸湿的或不易被浸湿的，以促进污染物从所述流体转移到用于清洁的衬底。

根据本发明的一个方面，提供一种从用于光刻中的设备去除污染物的方法，所述方法包括：将衬底装载到所述设备中，以将污染物吸引到所述衬底上，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域配置用于吸引污染物，所述第二区域带有与所述第一区域不同的极性或电荷，所述第一区域和第二区域中的每个区域属于以下情况中的一种：带极性并且带正电荷、带极性并且带负电荷、非极性的并且带正电荷、以及非极性的并且带负电荷；以及将所述衬底从所述设备中卸载。

根据本发明的一个方面，提供一种适合于从用于光刻中的设备去除污染物的衬底，所述衬底的尺寸被设计成适合于被光刻设备处理，所述衬底包括：第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域配置用于吸引污染物，所述第二区域带有与所述第一区域不同的极性或电荷，所述第一区域和第二区域中的每个区域属于以下情况中的一种：带极性的并且带正电荷、带极性的并且带负电荷、非极性的并且带正电荷、以及非极性的并且带负电荷。