[发明专利]LED磊晶粗化制程

权利要求书

1.一种LED磊晶粗化制程，其包括以下的步骤：

提供一个磊晶片，在所述磊晶片上形成一个导电层，

形成一个图形化光阻层，在所述导电层的表层，

湿式蚀刻所述导电层，在所述导电层的侧面形成粗糙面，

形成一个N型氮化镓平台，干式蚀刻所述磊晶片，并在所述N型氮化镓平台侧面形成粗糙面，及

制造电极衬垫，在所述N型氮化镓平台以及所述导电层上。

2.如权利要求1所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于：所述提供一个磊晶片步骤中，所述磊晶片包括一个基板、一个N型磊晶层、一个发光层以及一个P型磊晶层。

3.如权利要求2所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于：所述磊晶片的P型磊晶层上形成所述导电层。

4.如权利要求1所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于：所述提供一个磊晶片步骤中，所述导电层是以蒸镀方式形成，所述导电层的材料为透明的铟锡氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)。

5.如权利要求1所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于：所述湿式蚀刻所述导电层步骤中，所述导电层侧面的所述粗糙面是在所述光阻层边缘下方，由所述湿式蚀刻方式的侧向蚀刻现象形成。

6.如权利要求5所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于：所述湿式蚀刻，是使用KOH氢氧化钾、HCL盐酸或是H3PO4磷酸湿式化学蚀刻。

7.如权利要求1所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于：所述形成一个N型氮化镓平台步骤中，所述干式蚀刻所述磊晶片，为依循着所述导电层的粗糙面向下进行蚀刻运作。

8.如权利要求1所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于：所述形成一个N型氮化镓平台步骤中，所述N型氮化镓平台侧面的粗糙面，为直接由干式蚀刻所述导电层的粗糙面转印形成。

9.如权利要求8所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于：所述干式蚀刻是以感应耦合式电浆(Inductively Coupled Plasma, ICP)蚀刻进行。

10.如权利要求8所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于：所述N型氮化镓平台侧面的粗糙面与所述导电层的粗糙面具有相同的表面粗糙度等级。

11.如权利要求1所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于：所述制造电极衬垫步骤中，为去除所述图形化光阻层后，蒸镀金属衬垫形成所述电极衬垫。

12.如权利要求11所述的LED磊晶粗化制程，其特征在于：所述电极衬垫，在所述N型氮化镓平台上的电极衬垫为N极电极，在所述导电层上的电极衬垫为P极电极。

13.一种LED磊晶结构，包含一个磊晶片、一个导电层以及二个电极衬垫，所述磊晶片的一侧边上具有一个N型氮化镓平台设置，所述N型氮化镓平台上设置一个所述电极衬垫，所述导电层上设置另一个所述电极衬垫。

14.如权利要求13所述的LED磊晶结构，其特征在于：所述N型氮化镓平台凹陷于所述磊晶片内，所述N型氮化镓平台的侧面是为一个粗糙面，所述粗糙面位于所述磊晶片凹陷区域的内缘面。

15.如权利要求14所述的LED磊晶结构，其特征在于：所述粗糙面是边缘具有锯齿状的粗糙面。