[发明专利]LED磊晶粗化制程

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED磊晶粗化制程，尤其涉及一种磊晶侧面粗化的LED磊晶粗化制程。

背景技术

LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点。然而由于LED的结构是以磊晶方式生长在蓝宝石基板上，磊晶与蓝宝石基板的晶格常数以及热膨胀系数差异极大，所以会产生高密度线差排(Thread Dislocation)，此种高密度线差排会限制LED的发光效率。此外，在LED的结构中，除了发光层(Active Layer)及其它磊晶层会吸收光以外，其半导体的高折射系数也会使得LED产生的光受到局限，且常产生全内反射使大部分从发光层发出的光线，被局限在半导体内部，这种被局限的光有可能被较厚的基板吸收。所以如何从半导体的发光层萃取光源，进而增加光萃取效率，是目前LED产业努力的课题。磊晶表面的粗化已被证实具有改善出光的效率，但对于磊晶侧面的粗化，需要以特殊的光辅助化学湿蚀刻法(Photo-enhance Chemical wet etching method, PEC )制程，并使用氢氧化钾溶液(KOH)为蚀刻液进行，从而使得制造时间、人力以及成本都提高，且粗糙化程度并不明显。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种良好的LED磊晶粗化制程。

一种LED磊晶粗化制程，其包括以下的步骤；

提供一个磊晶片，在所述磊晶片上形成一个导电层，

形成一个图形化光阻层，在所述导电层的表层，

湿式蚀刻所述导电层，在所述导电层的侧面形成粗糙面，

形成一个N型氮化镓平台，干式蚀刻所述磊晶片，并在所述N型氮化镓平台侧面形成粗糙面，及

制造电极衬垫，在所述N型氮化镓平台以及所述导电层上。

上述的LED磊晶粗化的制程中，由于所述导电层侧面形成的粗糙面由湿式蚀刻造成,相较于特殊的光辅助化学湿蚀刻法对所述磊晶片的蚀刻可以提升粗糙面的粗糙度等级,而且所述N型氮化镓平台的成型是以对所述导电层没有影响的干式蚀刻进行，从而所述导电层侧面的粗糙面可以直接被转印到所述N型氮化镓平台的侧面，相较于目前磊晶侧面粗化的制程方式，具有制造成本低以及出光效果更佳的竞争上优势。

附图说明

图1是本发明LED磊晶粗化制程的步骤流程图。

图2是对应图1形成一个图形化光阻层步骤的剖视图。

图3是对应图1蚀刻所述导电层步骤的剖视图。

图4是对应图1形成一个N型氮化镓平台步骤的剖视图。

图5是对应图1制造电极衬垫步骤的剖视图。

主要元件符号说明

LED磊晶结构10磊晶片12N型氮化镓平台122粗糙面124、142导电层14图形化光阻层16电极衬垫18

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作一具体介绍。

请参阅图1，所示为本发明LED磊晶粗化制程的步骤流程图，其包括以下的步骤；