[发明专利]一种聚合物阴离子交换膜及其制备方法

权利要求书

1.一种阴离子聚合物，其特征在于，所述阴离子聚合物的重复单元如下所示：

式中，其中n为0～7的整数R₁为C1～C4的烷基R₂为甲基或H；X选自I、Br、Cl、SCN、BF₄、NO₃、PF₆、CF₃SO₃、N(CN)₂、[N(SO₂CF₃)₂]、OH中的一种，Ar选自以下结构式表示的基团中的一种：

2.权利要求1所述阴离子聚合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在碱的存在下，惰性气体保护氛围下，使含有咪唑功能基团的单体、含有Ar结构的单体进行亲核取代反应，得到阴离子聚合物；

所述含有咪唑功能基团的单体的结构式为：

所述含有Ar结构的单体选自：

3.根据权利要求2所述阴离子聚合物的制备方法，其特征在于，所述碱为碳酸钠、碳酸钾或碳酸铯中的一种。

4.根据权利要求3所述阴离子聚合物的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

(1)将含有咪唑功能基团的单体、含有Ar结构的单体、甲苯、碱溶于溶剂，于110～130℃回流反应4～8小时，甲苯和反应体系中生成的水共沸除去水；所述溶剂选自：N，N-二甲基甲酰胺、二甲亚砜、N-甲基吡咯烷酮中的一种；

(2)提升反应温度到140～170℃，并且反应温度不高于溶剂沸点，反应4～30小时，制备得到阴离子聚合物。

5.一种采用权利要求1所述阴离子聚合物制备的聚合物阴离子交换膜。