[发明专利]包含金属和粒子填充的硅片直通通路的集成电路芯片

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

集成电路；以及

在所述集成电路内的硅片直通通路，其中，所述硅片直通通路包含由金属基质和嵌入所述金属基质中的填料粒子组成的复合材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述金属基质包含由以下各项构成的组中的一项：铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、钨(W)、银(Ag)。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述填料粒子包含从由以下各项构成的组中选定的一项：二氧化硅、氧化铝、氮化硼、钨、殷钢、超级殷钢和科瓦铁镍钴合金。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述填料粒子包含铁磁材料。

5.一种装置，包括：

硅衬底；以及

在所述衬底内的硅片直通通路，其中，所述硅片直通通路包含由金属基质和嵌入所述金属基质中的填料粒子组成的复合材料。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述金属基质包含从由以下各项构成的组中选定的一项：铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、钨(W)、银(Ag)。

7.如权利要求5所述的方法，其中，所述填料粒子包含从由以下各项构成的组中选定的一项：二氧化硅、氧化铝、氮化硼、钨、殷钢、超级殷钢和科瓦铁镍钴合金。

8.如权利要求5所述的方法，其中，所述填料粒子包含铁磁材料。