[发明专利]有机电致发光显示元件以及其制造方法无效
申请号: | 201110225411.7 | 申请日: | 2011-08-03 |
公开(公告)号: | CN102916030A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 尹根千 | 申请(专利权)人: | 尹根千 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机电致发光显示元件,其特征在于,包括:
显示元件用基板,其由选自玻璃、金属或塑料中的一种形成;
有机电致发光显示元件驱动用薄膜晶体管,其形成在所述基板上面;
显示元件区域,其由单位像素及单位像素群而成,所述单位像素是在所述基板上由薄膜晶体管的数据线和栅极线交叉而定义的;
有机电致发光显示元件用第一电极,其形成在所述薄膜晶体管的上部;
有机电致发光显示元件用辅助电极,其形成在所述基板上;
辅助电极开口部,其是露出所述辅助电极的一部分而成的;
隔膜,其形成在所述辅助电极的开口部上;
有机发光层,其形成在所述第一电极上;
有机电致发光显示元件用第二电极,其形成在所述有机发光层上,
有机电致发光显示元件仅由所述第二电极形成或具备导电层,所述导电层形成在所述第二电极的上面或下面使之成为第二电极的一部分,所述第二电极或所述导电层利用所述隔膜连接于辅助电极,从而减低所述第二电极的电阻。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
所述辅助电极是在基板和有机电致发光显示元件的第二电极之间以形成为驱动用晶体管的一部分或以独立地布线所形成。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
当将所述有机电致发光显示装置制作成前面发光形时,使构成前面发光元件结构的一部分的反射板与辅助电极独立形成,或使反射板的局部或全部用作辅助电极并与所述第二电极连接。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
所述反射板的光反射度是50%以上。
5.根据权利要求3所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
为了减少因在所述辅助电极和第一电极之间产生的寄生电容而导致的影响,在所述辅助电极和所述第一电极之间形成层间绝缘膜。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
所述层间绝缘膜的厚度为0.2μm以上,光透射率为50%以上。
7.根据权利要求1或3所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
所述辅助电极或做辅助电极作用的反射板由Cu、Al、Ag、Au、Nd、Co、Ni、Mo、Cr、Ti、Pt等单一金属材料或其合金而成。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
所述辅助电极的面电阻是0.01~50Ω/sq,主电阻的第二电极的面电阻是0.1~10Ω/sq。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
当所述第二电极和辅助电极连接时,面电阻为1kΩ以下。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
当所述单一第二电极或包括所述导电层的所述第二电极作阴极作用时,至少包括一层以上功函数符合电子传输材料的电极层,当所述单一第二电极或包括所述导电层的所述第二电极作阳极作用时具有第二电极结构,所述第二电极结构包括至少一层以上功函数符合空穴传输材料的电极层。
11.根据权利要求1所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
所述开口部和隔膜形成在显示元件区域的整个像素中的一部分或像素整体。
12.根据权利要求1所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
在所述各辅助电极的开口部至少形成一个以上隔膜,此时,通过增加由隔膜的第二电极和辅助电极的连接部面积,减小权利要求9的面电阻而提高接触概率。
13.根据权利要求1、11、12所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
所述开口部和隔膜形成在有机电致发光显示元件的非发光区域。
14.根据权利要求1、11、12所述的有机电致发光显示元件,其特征在于,
将所述有机电致发光显示元件制成前面发光形时,在有机电致发光显示元件用上部基板或用于保护有机电致发光显示元件的上部保护用单元的非出光区域的下部配置所述开口部和隔膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的