[发明专利]有机电致发光显示元件以及其制造方法无效
申请号: | 201110225411.7 | 申请日: | 2011-08-03 |
公开(公告)号: | CN102916030A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 尹根千 | 申请(专利权)人: | 尹根千 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 元件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种有机电致发光显示元件以及其制造方法,特别是有关于一种通过简单地改善结构提高大面积有机电致发光显示元件的亮度均匀度,不但可以提高利用此元件的产品的品质,而且在制造方面经济效果良好的有机电致发光显示元件以及其制造方法。
背景技术
最近,对平板显示元件的关心逐渐变高,作为这种平板显示装置有液晶显示装置(Liquid Crystal Display)、等离子显示面板(Plasma Display Panel)、场致发生显示装置(Field Emission Display)、电致发光(Electroluminescence:以下简称为“EL”)显示元件等。
其中,EL显示元件是自发光元件,具有反应速度快,发光效率、亮度及视角大的优点,根据发光层的材料,大致分为无机EL显示元件和有机EL显示元件。无机EL显示元件与所谓称为有机电致发光显示元件或OLED(Organic Light Emitting Diode or Display)的有机EL显示元件相比耗电较大,无法获得高亮度,并且不能发出红(R)、绿(G)、蓝(B)的各种颜色光。相反,有机电致发光显示元件可在10V左右的低电压驱动,同时,反应速度快,能获得高亮度,而且,能发出红、绿、蓝等各种颜色光,因此最适合用于下一代平板显示元件。
图1是表示根据现有技术的有机电致发光显示元件和薄膜晶体管的各种构成中的一个的OELD上发光型(top emission type)的一例,如图所示,具备分别配置在由栅极线GL和数据线DL的交叉所定义的区域的单位像素60,单位像素60对栅极线GL供给栅极脉冲时从数据线DL接受数据信号,并对应该数据信号,有机电致发光显示元件发光并显示图像。并且,单位像素集成构成显示元件区域。
另外,所述单位像素60具备第二电极连接在驱动电压源VDD的OLED单元、栅极线GL以及数据线DL和,连接于基底电压源GND,并连接在OLED单元的第一电极的单元驱动部62。单元驱动部62具备开关用薄膜晶体管(Thin Film Transistor:以下简称为“TFT”)T1、驱动用TFTT2、电容C。
所述开关用TFTT1,当对栅极线GL供给栅极脉冲则被开启而将供给至数据线DL的数据信号供给到节点N。被供给到节点N的数据信号充值于电容C的同时,被供给到驱动用TFTT2的栅电极。
所述驱动用TFTT2按照供给至栅电极的数据信号控制从驱动电压源VDD供给至OLED单元的电流量I,从而调整OLED单元的发光量。并且,即使开关用TFTT1被关闭,也通过电容C保持数据信号,驱动用TFTT2直到供给下一个帧的数据信号为止从驱动电压源VDD向OLED单元供给电流I,从而保持OLED单元的发光。
图2是详细表示图1的单位像素的局部区域的截面图。根据此,现有有机电致发光显示元件具备:开关用TFTT1(参照图1);驱动用TFTT2,栅电极24连接于开关用TFT的漏电极;OLED电源,OLED电极12连接于驱动用TFTT2的漏电极28。
所述开关用TFT具备:连接于栅极线GL(参照图1)的栅电极;连接于数据线DL(参照图1)的源电极;连接于驱动用TFTT2的栅电极24的漏电极。
所述驱动用TFTT2具备:连接于开关用TFT的漏电极的栅电极24;连接于基底电压源GND的源电极26;连接于OLED单元的第一电极12的漏电极28;在源电极26和漏电极之间形成沟道的活性层38。详细说明所述驱动用TFTT2的话,包括:与栅极线一同形成的栅电极24;与数据线一同形成的源电极26以及漏电极28;隔栅极绝缘膜36与栅电极24重叠,在源电极26和漏电极28之间形成沟道的活性层38;用于减低活性层38和源电极26以及漏电极28的面电阻的欧姆接触层40。还包括接触孔34,其为了保护OLED单元的第一电极12和漏电极28的接触,穿通保护膜30使漏电极28露出。
所述OLED单元具备:有机发光层10;第一电极12以及第二电极14,其被绝缘膜6绝缘,形成在有机发光层10的下部以及上部。
所述第二电极4层积氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide),氧化铟锌(IZO:Indium Zinc Oxide)等透明导电性物质,或者Al、AlLi、Mg、Ca、Ag、MgAg等半透明物质单层或一个以上层而构成的。在该第二电极4从驱动电压源VDD(参照图1)供给用于放出电荷的驱动信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于尹根千,未经尹根千许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110225411.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:信息处理设备和信息处理方法
- 下一篇:逆导IGBT器件及制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的