[发明专利]发光二极管封装结构有效
申请号: | 201110225675.2 | 申请日: | 2011-08-08 |
公开(公告)号: | CN102931329A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 林新强 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/48 |
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地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种发光二极管封装结构,包括若干电极、一发光二极管芯片和一封装层,相邻两个电极之间相互间隔形成一间隙,所述发光二极管芯片与所述电极电性连接,该封装层包覆所述发光二极管芯片于其内部,其特征在于,每一电极于靠近对应间隙处形成为斜面,每一斜面从对应电极靠近所述封装层处的一侧向远离封装层的一侧及向该间隙内倾斜延伸,使得照射于所述斜面上的光线经斜面反射后向所述封装层方向出射。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述斜面为平面。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构,其特征在于:每一电极呈平板状,每一电极包括一上表面及与上表面相对的且平行的一下表面,所述斜面连接于上表面与下表面之间。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述斜面为弧面。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于:每一电极包括一平面状的下表面及与该下表面相对的一弧形的上表面,该斜面为所述电极的上表面靠近间隙的部分。
6.如权利要求1至5任一项所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述发光二极管封装结构还包括反射杯,该反射杯环绕所述发光二极管芯片设于所述电极上。
7.如权利要求1至5任一项所述的发光二极管封装结构,其特征在于:还包括一绝缘层,该绝缘层设置于相邻电极之间的间隙内,在电极之间形成阻挡,避免电极之间电连接。
8.如权利要求1至5任一项所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述电极所用的材料为金、银、铜、铂、铝、镍、锡或镁中的一种或几种的合金。
9.如权利要求6所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述反射杯采用PPA制成。
10.如权利要求1至5任一项所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述封装层内还包含荧光转换材料,该荧光转换材料为石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉或氮化物基荧光粉。
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