[发明专利]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。

背景技术

目前发光二极管(Light Emitting Diode, LED)封装结构通常包括若干电极，相邻两电极之间间隔一定的距离，形成间隙并且相互绝缘。然而，这种发光二极管封装结构中，由于该间隙的存在，使得发光二极管发出的光线中一部分通过该间隙射向该发光二极管封装结构的背面，不能全部正向射出，从而造成发光二极管封装结构出光效率的下降，影响该发光二极管封装结构的出光性能。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种具有更高出光效率的发光二极管封装结构。

一种发光二极管封装结构，包括若干电极、一发光二极管芯片和一封装层。相邻两个电极之间相互间隔形成一间隙。所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，该封装层包覆所述发光二极管芯片于其内部。每一电极于靠近对应间隙处形成为斜面，每一斜面从对应电极靠近所述封装层处的一端向下并向该间隙内倾斜延伸，使得照射于所述斜面上的光线经斜面反射后向所述封装层方向出射。

上述发光二极管封装结构，其相邻电极之间形成靠近间隙的斜面，从而当发光二极管芯片发出的部分光线通过相邻电极之间的间隙向发光二极管封装结构的背面射出时，该部分光线可大部分被斜面阻挡并反射后向发光二极管封装结构的正面正向射出，从而能够减少光线在间隙处的损失，增加正向出光，从而提升发光二极管封装结构的出光效率，改善发光二极管封装结构的出光性能。

附图说明

图1是本发明第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。

图2是本发明第二实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。

主要元件符号说明

发光二极管封装结构10，20电极11，21上表面111，211下表面112，212斜面113，213发光二极管芯片12金属导线121反射杯13绝缘层14封装层15间隙16，26

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请参阅图1，本发明的一实施方式提供一种发光二极管封装结构10，其包括电极11、发光二极管芯片12、反射杯13、绝缘层14和封装层15。