[发明专利]硅通孔的制作方法有效
| 申请号： | 201110225738.4 | 申请日： | 2011-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN102412194A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 彭虎;程晓华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 制作方法 | ||
1.一种硅通孔的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在硅片上淀积一层金属前介质层，利用光刻定义出硅通孔区域，依次刻蚀所述硅通孔区域的所述金属前介质层和所述硅片并形成深沟槽或孔；
步骤二、在所述深沟槽或孔侧壁和底部淀积一层氧化层；该氧化层的淀积工艺采用LPCVD TEOS或SACVD TEOS；
步骤三、在形成有所述氧化层的所述深沟槽或孔侧壁和底部中淀积一层钛和氮化钛；所述钛和氮化钛同时也淀积到所述深沟槽或孔外部的表面区域；
步骤四、在所述钛和氮化钛上淀积第一层钨，所述第一层钨不将所述深沟槽或孔填满；
步骤五、对所述第一层钨进行回刻；
步骤六、在形成有所述第一层钨的所述深沟槽或孔侧壁和底部中淀积第二层钨，所述第二层钨将所述深沟槽或孔填满或不填满；所述第二层钨同时也淀积到所述深沟槽或孔外部的表面区域；
步骤七、对由所述第一层钨和所述第二层钨组成的钨层进行回刻或化学机械研磨；
步骤八、当所述第二层钨未将所述深沟槽或孔填满时，重复步骤六和步骤七，直至所述深沟槽或孔被填满；
步骤九、制作所述硅片的正面金属互连线及正面后段工艺；
步骤十、对所述硅片的背面进行减薄，从所述深沟槽或孔的底部将填 充于所述深沟槽或孔中的所述钛和氮化钛、所述第一层钨和所述第二层钨露出；
步骤十一、从所述硅片的背面进行金属淀积并制作背面金属图形。
2.如权利要求1所述硅通孔的制作方法，其特征在于：步骤一中的所述金属前介质层为硼磷硅玻璃或磷硅玻璃。
3.如权利要求1所述硅通孔的制作方法，其特征在于：步骤一中所述深沟槽或孔的深度为50微米～250微米、宽度为1.5微米～5微米。
4.如权利要求1所述硅通孔的制作方法，其特征在于：步骤四中所淀积的所述第一层钨的厚度为所述深沟槽或孔的宽度的1/5～1/2、且所述第一层钨的厚度小于
5.如权利要求4所述硅通孔的制作方法，其特征在于：所述第一层钨的厚度为所述深沟槽或孔的宽度的1/4～1/3。
6.如权利要求1所述硅通孔的制作方法，其特征在于：步骤六中所淀积的所述第二层钨的厚度为所述深沟槽或孔的宽度的1/5～1/2、且所述第一层钨的厚度小于
7.如权利要求6所述硅通孔的制作方法，其特征在于：所述第二层钨的厚度为所述深沟槽或孔的宽度的1/4～1/3。
8.如权利要求1所述硅通孔的制作方法，其特征在于：步骤五中对所述第一层钨进行的回刻采用全面刻蚀方式，刻蚀完后将形成于所述深沟槽或孔外部的表面区域的所述第一层钨保留
9.如权利要求1所述硅通孔的制作方法，其特征在于：步骤七中对所述钨层进行的回刻采用全面刻蚀方式，刻蚀完后将形成于所述深沟槽或 孔外部的表面区域的所述钨层保留
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
