[发明专利]一种液晶显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，所述第一基板包括栅极区、存储电容区、位于所述栅极区和存储电容区表面上的第一保护层以及位于所述第一保护层上的非晶硅层和数据线层；

在所述非晶硅层和数据线层上形成硅岛和数据线，所述硅岛和数据线是在同一光刻过程中形成的；

在所述第一保护层和数据线表面上形成第二保护层，在所述第二保护层上形成过孔；

在所述第二保护层表面上形成电极层，在所述电极层上形成像素电极和共同电极，所述像素电极和共同电极在同一光刻过程中形成。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述形成硅岛和数据线的光刻过程中采用的掩模版为半灰阶掩模版。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述形成硅岛和数据线的过程具体为：

在所述数据线层上形成光刻胶层，利用半灰阶掩模版进行光刻，在光刻胶层上形成第一数据线图形和硅岛图形，所述第一数据线图形处为部分曝光；

以具有第一数据线图形和硅岛图形的光刻胶层为掩膜，去除所述硅岛图形下方的数据线层和非晶硅层材料，形成硅岛；

去除所述光刻胶层中的第一数据线图形下方剩余的光刻胶，在所述光刻胶层上形成第二数据线图形；

以具有第二数据线图形的光刻胶层为掩膜，去除所述第二数据线图形下方的数据线层材料和部分非晶硅层材料，形成沟道，得到数据线。

4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，形成所述硅岛的过程中，去除所述硅岛图形下方的数据线层和非晶硅层材料的过程具体为：采用湿法腐蚀工艺去掉数据线层材料，采用干法刻蚀工艺去掉非晶硅层材料。

5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，形成第二数据线图形的具体过程为：

采用干法刻蚀工艺去除所述第一数据线图形下方剩余的光刻胶，形成第二数据线图形。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，形成数据线的过程中，去除所述第二数据线图形下方的数据线层材料和部分非晶硅层材料的过程具体为：

采用湿法腐蚀工艺去除所述第二数据线图形下方的数据线层材料；

采用干法刻蚀工艺去除所述第二数据线图形下方的部分非晶硅层材料。

7.采用权利要求1-6任一项所述的方法制作的液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极和共同电极均位于所述第二保护层表面上。

8.根据权利要求7所述液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极和共同电极的制作材料相同。

9.根据权利要求8所述液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极和共同电极的制作材料为氧化铟锡。

10.根据权利要求9所述液晶显示装置，其特征在于，所述像素电极和所述存储电容区以及二者之间的第一保护层和第二保护层构成存储电容，所述像素电极和存储电容区为所述存储电容的两个极板，所述第一保护层和第二保护层为存储电容两极板间的介质。