[发明专利]一种液晶显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种液晶显示装置及其制造方法。

背景技术

信息化社会越来越需要轻薄便携式的显示设备，而当前最成熟的产品就是液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)了。LCD通常包括用于显示画面的液晶显示面板和用于向液晶显示面板提供信号的电路部份。该液晶显示面板通常包括第一基板和第二基板，它们通过框胶彼此粘接并由间隙隔开，而液晶材料注入到第一基板和第二基板之间的间隙中。

所述第一基板例如为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板，其上面形成有多条栅极线和多条数据线，其中多条栅极线相互平行且以固定的间隔彼此分开，并沿着第一方向延伸，而多条数据线也相互平行且以固定的间隔彼此分开，并沿着基本上垂直于第一方向的第二方向延伸；所述TFT阵列基板上还包括通过所述栅极线和数据线的相互交叉限定出的多个像素区域，设置在每个像素区域中的多个像素电极，以及与像素电极连接的薄膜晶体管(TFT)；所述TFT能够响应提供给相应的每条栅极线的信号而将来自相应的数据线的信号发送给对应的每个像素电极，进而控制液晶分子的转向。

如图1-图6所示，现有技术中液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括：

如图1所示，提供第一基板1，所述第一基板包括栅极区2，所述栅极区是经淀积第一晶体硅层后，经过光刻和刻蚀等步骤形成；

参见图2，在所述第一基板上形成第一保护层3，在第一保护层3上形成硅岛4；

参见图3，在第一保护层3表面上形成第一电极层，经过光刻和刻蚀等步骤在第一电极层上形成像素电极5；

参见图4，在硅岛4和像素电极5上形成数据线层，经过光刻和刻蚀等步骤在数据线层上形成数据线6；

参见图5，在像素电极5和数据线6上形成第二保护层7，经过光刻和刻蚀等步骤得到第二保护层过孔；

参见图6，在所述第二保护层7上形成第二电极层，经过光刻和刻蚀等步骤在第二电极层上形成共同电极8，共同电极8与像素电极5构成存储电容。

经发明人研究发现，目前的液晶显示装置的制造过程中，可以通过改善其薄膜晶体管阵列基板的生产工艺，使得液晶显示装置的生产效率进一步提高，生产成本进一步降低。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种液晶显示装置的制造方法，减少了光刻次数，降低了生产成本，提高了产品的生产效率。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种液晶显示装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，所述第一基板包括栅极区、存储电容区、位于所述栅极区和存储电容区表面上的第一保护层以及位于所述第一保护层上的非晶硅层和数据线层；

在所述非晶硅层和数据线层上形成硅岛和数据线，所述硅岛和数据线是在同一光刻过程中形成的；

在所述第一保护层和数据线表面上形成第二保护层，在所述第二保护层上形成过孔；

在所述第二保护层表面上形成电极层，在所述电极层上形成像素电极和共同电极，所述像素电极和共同电极在同一光刻过程中形成。

优选的，所述形成硅岛和数据线的光刻过程中采用的掩模版为半灰阶掩模版。

优选的，所述形成硅岛和数据线的过程具体为：

在所述数据线层上形成光刻胶层，利用半灰阶掩模版进行光刻，在光刻胶层上形成第一数据线图形和硅岛图形，所述第一数据线图形处为部分曝光；

以具有第一数据线图形和硅岛图形的光刻胶层为掩膜，去除所述硅岛图形下方的数据线层和非晶硅层材料，形成硅岛；

去除所述光刻胶层中的第一数据线图形下方剩余的光刻胶，在所述光刻胶层上形成第二数据线图形；

以具有第二数据线图形的光刻胶层为掩膜，去除所述第二数据线图形下方的数据线层材料和部分非晶硅层材料，形成沟道，得到数据线。

优选的，形成所述硅岛的过程中，去除所述硅岛图形下方的数据线层和非晶硅层材料的过程具体为：采用湿法腐蚀工艺去掉数据线层材料，采用干法刻蚀工艺去掉非晶硅层材料。

优选的，形成第二数据线图形的具体过程为：

采用干法刻蚀工艺去除所述第一数据线图形下方剩余的光刻胶，形成第二数据线图形。

优选的，形成数据线的过程中，去除所述第二数据线图形下方的数据线层材料和部分非晶硅层材料的过程具体为：

采用湿法腐蚀工艺去除所述第二数据线图形下方的数据线层材料；