[发明专利]接垫结构的形成方法

权利要求书

1.一种接垫结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有第一保护层和为所述第一保护层所露出的接垫；

在所述第一保护层与所述接垫上形成第二保护层；

在所述第二保护层上形成第一开口以暴露出所述接垫，所述第一开口的底部位于所述接垫上；

采用焊锡材料填充所述第一开口，以形成新的接垫。

2.根据权利要求1所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，相邻的所述第一开口间的距离大于50微米。

3.根据权利要求1或2所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，每一接垫上的第一开口为一个且位于所述接垫的中心。

4.根据权利要求1所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，所述第二保护层材质为聚酰亚胺；形成所述第一开口的方法，包括：利用掩膜板曝光、显影，以将掩膜板上的第一开口图形转移至聚酰亚胺上。

5.根据权利要求1所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，具有第一保护层和为所述第一保护层所露出的接垫的基底的形成步骤包括：

提供基底，所述基底上具有接垫；

在所述基底与所述接垫上形成第一保护层；

在所述第一保护层上形成第二开口以暴露出所述接垫，所述第二开口的底部位于所述第一开口的底部。

6.根据权利要求5所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层材质为聚酰亚胺。

7.根据权利要求6所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底步骤之后还依次对所述基底进行固化、灰化、清洗、烘烤、软烘烤的步骤。

8.根据权利要求7所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，所述烘烤的工艺条件为：110-130摄氏度持续3-5分钟，接着130-150摄氏度持续1-3分钟；软烘烤的工艺条件为：热板上115-135摄氏度持续3-5分钟。

9.根据权利要求4所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，在所述第二保护层上形成第一开口以暴露出所述接垫步骤后，还进行对所述包含第一开口的基底固化的步骤。

10.根据权利要求9所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，对所述包含第一开口的基底固化步骤之后还进行对包含第一开口的基底灰化的步骤。

11.根据权利要求10所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，对所述包含第一开口的基底灰化步骤之后还进行对所述包含第一开口的基底清洗，烘烤，软烘烤步骤。

12.根据权利要求11所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，所述烘烤的工艺条件为：110-130摄氏度持续3-5分钟，接着130-150摄氏度持续1-3分钟；软烘烤的工艺条件为：热板上115-135摄氏度持续3-5分钟。

13.一种接垫结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有接垫；

在所述基底与所述接垫上形成保护层；

在所述保护层上形成第一开口以暴露出所述接垫，所述第一开口的底部位于所述接垫的平面上；

采用焊锡材料填充所述第一开口，以形成新的接垫。

14.根据权利要求13所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，所述保护层材质为聚酰亚胺；形成所述第一开口的方法，包括：利用掩膜板曝光、显影，将掩膜板上的第一开口图形转移至聚酰亚胺上。

15.根据权利要求13所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，相邻的第一开口间的距离大于50微米。

16.根据权利要求13或15所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，每一接垫上的第一开口为一个且位于所述接垫的中心。

17.根据权利要求14所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，在所述保护层上形成第一开口以暴露出所述接垫步骤后，还对所述包含第一开口的基底进行固化的步骤。

18.根据权利要求17所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，对所述包含第一开口的基底固化步骤之后还对包含第一开口的基底进行灰化的步骤。

19.根据权利要求18所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，对所述包含第一开口的基底灰化步骤之后还对所述包含第一开口的基底进行清洗、烘烤、软烘烤步骤。

20.根据权利要求19所述的接垫结构的形成方法，其特征在于，所述烘烤的工艺条件为：110-130摄氏度持续3-5分钟，接着130-150摄氏度持续1-3分钟；软烘烤的工艺条件为：热板上115-135摄氏度持续3-5分钟。