[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成伪栅区和伪栅区的侧墙；

在伪栅区两侧的半导体衬底上形成外延层，以形成源漏区，所述外延层为金属硅化物、金属锗化物或金属硅锗化物；

覆盖所述外延层以形成层间介质层；

去除所述伪栅区，形成开口；

在所述开口内壁形成栅介质层，以及栅介质层上形成填满所述开口的金属栅电极。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为Si、SOI、Ge、GOI或Si-Ge衬底。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述外延层的步骤包括：

淀积金属，在伪栅区两侧的半导体衬底上、伪栅区上以及侧墙上形成金属薄层；

进行第一热退火，所述金属薄层同伪栅区两侧的半导体衬底反应形成所述外延层，以形成源漏区，所述外延层为金属硅化物、金属锗化物或金属硅锗化物；

去除伪栅区上以及侧墙上的金属薄层。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述金属薄层从包括下列元素的组中选择元素来形成：Co、Ni、Ni-Pt或Ni-Co。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述金属薄层为Co时，金属薄层的厚度小于5mn；所述金属薄层为Ni时，金属薄层的厚度不大于4nm；所述金属薄层为Ni-Pt时，金属薄层的厚度不大于4nm，金属薄层中Pt％(摩尔含量)≤8％；所述金属薄层为Ni-Co时，金属薄层的厚度不大于4nm，金属薄层中Co％(摩尔含量)≤10％。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述外延层为包括以下元素组合的化合物：NiSi_2-y、Ni_1-xPt_xSi_2-y、CoSi_2-y、Ni_1-xCo_xSi_2-y、NiGe_2-y、Ni_1-xPt_xGe_2-y、CoGe_2-y、Ni_1-xCo_xGe_2-y、Ni(Si_1-zGe_z)_2-y、Ni_1-xPt_x(Si_1-zGe_z)_2-y、Co(Si_1-zGe_z)_2-y或Ni_1-xCo_x(Si_1-zGe_z)_2-y，其中，0＜x＜1，0≤y＜1，0＜z＜1。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成外延层之后、形成层间介质层之前，还包括步骤：在外延层中进行离子注入；以及，在形成栅介质层后，进行第二热退火，以使外延层中的注入的离子聚集在外延层与沟道的界面处，以形成掺杂离子聚集区。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述离子注入的剂量范围为1×10¹⁴-1×10¹⁶cm^-2，所述离子注入的能量范围为0.1-10keV。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，对于n型器件，所述离子注入的离子为B、Al、Ga或In；对于p型器件，所述离子注入的离子为N、P、As、O、S、Se、Te、F或Cl。

10.根据权利要求3或7所述的制造方法，其特征在于，所述第一热退火或第二热退火的温度为500-850℃。

11.一种半导体器件，其特征在于，所述器件包括：

半导体衬底；

所述衬底上的栅介质层及栅介质层上的金属栅电极；

金属栅电极两侧的半导体衬底上的外延层，所述外延层为金属硅化物、金属锗化物或金属硅锗化物，所述外延层为源漏区。