[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110228634.9 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931234A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 代萌;林中瑀 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括第一阱区、位于所述第一阱区表面内的第二阱区、位于所述第二阱区表面内的掺杂区、位于所述掺杂区周边的场氧以及位于所述场氧下方的漂移区；
位于所述掺杂区表面内的漏区，所述漏区边缘与所述漂移区边缘具有一定距离。
2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述漏区边缘与所述漂移区边缘的距离越大，所述漏区与所述漂移区间的电阻越大，在所述漏区与所述漂移区之间的电流的流通路径越宽。
3.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件的面积大于常规LDMOS器件的面积。
4.根据权利要求3所述的LDMOS器件，其特征在于，所述漂移区的掺杂浓度小于所述漏区的掺杂浓度，大于所述第一阱区和第二阱区的掺杂浓度。
5.根据权利要求4所述的LDMOS器件，其特征在于，所述漏区边缘与所述漂移区边缘的最小距离Lmin为，所述LDMOS器件的ESD耐受能力为1.9kv时的所述漏区边缘与所述漂移区边缘的距离。
6.根据权利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件的ESD耐受能力在2kv以上。
7.根据权利要求1-6任一项所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件为0.5μm工艺节点下，击穿电压为60v的LDMOS器件时，Lmin＝3μm。
8.根据权利要求7所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件的所述漏区边缘与所述漂移区边缘的距离为Lmin～2*Lmin。
9.根据权利要求所述的LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件还包括：
位于所述第一阱区和场氧表面上的栅区；
位于所述第一阱区表面内的源区。
10.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括第一阱区、位于所述第一阱区表面内的第二阱区、位于所述第二阱区表面内的掺杂区、位于所述掺杂区周边的场氧以及位于所述场氧下方的漂移区；
在所述掺杂区表面内形成漏区，所述漏区边缘与所述漂移区边缘具有一定距离。
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