[发明专利]一种显影后的光刻胶层的对准检测方法有效
| 申请号： | 201110228764.2 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102929111A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 顾英 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 显影 光刻 对准 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种显影后的光刻胶层的对准检测方法，其特征在于，包括：
设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数，并将光源参数中的相对光强设定为小于500；
依据所述设定的光源参数和所述相对光强，对所述显影后的光刻胶层进行对准检测。
2.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，将所述相对光强设定为150。
3.根据权利要求1或2任一项所述的对准方法，其特征在于，设定的光源参数还包括：将所述对准检测所用光源的曝光剂量设定为大于0.03J/cm2且小于0.06J/cm2。
4.根据权利要求3所述的对准方法，其特征在于，将所述对准检测所用的光源的曝光剂量设定为0.05J/cm2。
5.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，所述对准所用的光源为紫外光源。
6.根据权利要求5所述的对准方法，其特征在于，所述紫外光源为准分子激光。
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