[发明专利]一种显影后的光刻胶层的对准检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制作技术领域，更具体的说是涉及一种显影后的光刻胶层的对准检测方法。

背景技术

随着集成电路的发展，集成电路的制作工艺也越来也精细。在半导体制作工艺中，当硅片表面涂布光刻胶后，为了将掩膜版上的图像转移到光刻胶上，需要对光刻胶进行定位、曝光以及显影，整个过程中的每个工艺步骤之后都会进行相应的检验，其中，对光刻胶显影后的检测可以称为显影后检查(ADI，After Developing Inspection)。

显影后检查一般包括缺陷检查、线宽测量和对准测量等操作。其中对准操作是对显影后的光刻胶层的图形规则程度的检查，各层图像的套准检查等。但是，在对显影后的光刻胶层进行对准时所用的光源很容易对显影后的光刻胶层上的光刻胶造成损伤，进而影响后续的制作工艺，使得制作出的集成电路板质量较差。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种显影后的光刻胶层的对准检测方法，在对显影后的光刻胶进行对准时，能减少对显影后的光刻胶层上的光刻胶的损伤。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种显影后的光刻胶层的对准检测方法，包括：

设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数，并将光源参数中的相对光强设定为小于500；

依据所述设定的光源参数和所述相对光强，对所述显影后的光刻胶层进行对准检测。

优选的，将所述相对光强设定为150。

优选的，设定的光源参数还包括：将所述对准检测所用光源的曝光剂量设定为大于0.03J/cm²且小于0.06J/cm²。

优选的，将所述对准检测所用的光源的曝光剂量设定为0.05J/cm²。

优选的，所述对准所用的光源为紫外光源。

优选的，所述紫外光源为准分子激光。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明公开提供了一种显影后的光刻胶层的对准检测方法，将对显影后的光刻胶层进行对准检测所用的相对光强设定为小于500，通过降低对准检测所用光源的光强来降低对显影后的光刻胶层的损伤，进而提高了集成电路板的质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明一种显影后的光刻胶层的对准检测方法一个实施例的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

现有技术中，对完成显影后的光刻胶层进行对准的过程中，经常会对显影后的光刻胶层上的光刻胶造成损伤。

发明人经研究发现，现有技术中在对显影后的光刻胶层进行对准的过程中所用的光源与进行曝光时所用的I线光源的光强能量很接近，现有技术中进行对准检测时，所用的光源的相对光强一般均大于或等于500。而在该相对光强下，对准检测所用光源的光强较大很容易损伤显影后的光刻胶层，而适当的降低对准检测的光源的光强并不会降低对准检测的准确性，但却能够避免对显影后光刻胶层的损伤，因此发明人降低对准检测所用的光源的相对光强，进而降低了光源的光强，避免了对准检测过程中对显影后的光刻胶层的损伤。

参见图1，为本发明一种显影后的光刻胶层的对准检测方法一个实施例的流程示意图，本实施例的方法包括：

步骤101：设定对显影后的光刻胶层进行对准检测的光源参数，并将光源参数中的相对光强设定为小于500；

在半导体工艺中，在对硅片涂布光刻胶并前烘后，将带胶硅片与投影掩模版进行对准，然后进行曝光和显影以便将掩膜版上的图形复制到带胶硅片上。显影完成之后，为了检测显影后的光刻胶层上的图形的规则程度，需要进行显影后检查。