[发明专利]一种多栅指GaN HEMTs

权利要求书

1.一种多栅指GaN HEMTs，包括栅指，其特征在于，所述栅指分为等温栅指和变温栅指，

所述等温栅指的各个栅指之间的距离为：

Lgg,IN=(n1-0.5)×L0+Wopn1-0.5=WIN+Wopn1-0.5,]]>

其中，

L_gg，IN-多栅指GaN HEMTs等温栅指的各个栅指之间的距离，μm；

n₁-多栅指GaN HEMTs等温栅指的单侧栅指间间隔的数量；

L₀-等栅间距的GaN HEMTs的各个栅指之间的距离，μm；

W_IN-等栅间距的GaN HEMTs等温栅指的单侧总长度，μm；

W_op-多栅指GaN HEMTs与等栅间距的GaN HEMTs相比，等温栅指的单侧补偿长度，μm；

所述变温栅指的各个栅指之间的距离为：

L_gg，OUT，i＝L_gg，IN+a(4i³+3i²+i)，

WOUT=Σi=1n2Lgg,OUT,i,]]>

其中，

i-从多栅指GaN HEMTs中心向边缘对变温栅指之间的间隔进行计数时对应的索引值；

n₂-多栅指GaN HEMTs的变温栅指的单侧栅指间间隔的数量；

i的取值范围从1到n₂；

L₀-等栅间距的GaN HEMTs各个栅指之间的距离，μm；

L_gg，OUT-多栅指GaN HEMTs变温栅指的各个栅指之间的距离，μm；

W_OUT-多栅指GaN HEMTs变温栅指的单侧总长度，μm；

a-多栅指GaN HEMTs变温栅指的各个栅指之间距离的渐变系数。

2.根据权利要求1所述的GaN HEMTs，其特征在于，所述a的计算公式为

a=-a0Lgg,INn23]]>

其中，

a₀-与用于制造GaN HEMTs的材质的热特性有关，取值范围从0到0.5；

L_gg，IN-多栅指GaN HEMTs等温栅指的各个栅指之间的距离；

n₂-多栅指GaN HEMTs变温栅指的单侧栅指间间隔的数量。