[发明专利]一种多栅指GaN HEMTs有效
| 申请号： | 201110229091.2 | 申请日： | 2011-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN102270659A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王建辉;刘新宇;王鑫华;庞磊;袁婷婷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多栅指 gan hemts | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种多栅指GaN HEMTs。
背景技术
GaN HEMTs在功率放大领域具有非常广泛的应用前景，GaN HEMTs在工作过程中，受自热效应影响，沟道温度非常高，这也是导致GaN HEMTs性能下降、寿命缩短的主重要因素。目前，GaN HEMTs结构设计中，栅指的栅间距都是相等的，参见附图1，但是，由于各个栅指下方热源区互相耦合情况不同，并且，不同位置栅指散热条件不同，导致GaN HEMTs在工作时，各个栅指的温度不相等，内部栅指温度较高，外部栅指温度较低，参见附图2，而GaN HEMTs的沟道温度与温度最高的栅指的温度相同。较高的沟道温度将导致GaN HEMTs的输出功率减小，失效加快寿命缩短。为了抑制GaN HEMTs的自热效应，需要降低GaN HEMTs的沟道温度，即降低GaN HEMTs工作时温度最高的栅指的温度。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出了一种通过重新安排GaN HEMTs各个栅指之间的距离，使得其在工作时，温度最高的栅指的温度降低，从而，使GaN HEMTs沟道温度降低的多栅指GaN HEMTs。
本发明提供的多栅指GaN HEMTs，包括栅指，所述栅指分为等温栅指和变温栅指，
所述等温栅指的各个栅指之间的距离为：
其中，
Lgg，IN-多栅指GaN HEMTs等温栅指的各个栅指之间的距离，μm；
n1-多栅指GaN HEMTs等温栅指的单侧栅指间间隔的数量；
L0-等栅间距的GaN HEMTs的各个栅指之间的距离，μm；
WIN-等栅间距的GaN HEMTs等温栅指的单侧总长度，μm；
Wop-多栅指GaN HEMTs与等栅间距的GaN HEMTs相比，等温栅指的单侧补偿长度，μm；
所述变温栅指的各个栅指之间的距离为：
Lgg，OUT，i＝Lgg，IN+a(4i3+3i2+i)，
其中，
i-从多栅指GaN HEMTs中心向边缘对变温栅指之间的间隔进行计数时对应的索引值；
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110229091.2/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
