[发明专利]具微机电组件的封装结构的制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装结构的制法，尤指一种具微机电组件的封装结构的制法。

背景技术

微机电系统(Micro Electro Mechanical System，简称MEMS)是一种兼具电子与机械功能的微小装置，在制造上乃借由各种微细加工技术来达成，一般来说，微机电系统是将微机电组件设置于基板的表面上，并以保护罩或底胶进行封装保护，以使内部的微机电组件不受外界环境的破坏，而得到一具微机电组件的封装结构。

请参阅图1，其为现有具微机电组件的封装结构的剖视图。如图所示，现有的具微机电组件的封装结构通过将例如为压力感测组件的微机电组件11接置于平面栅格数组(land grid array，简称LGA)型态的基板10上，并利用打线方式从微机电组件11的电性连接端111电性连接至该LGA基板10的电性连接端101，而使该微机电组件11与基板10电性连接，最终再于封装基板10表面形成金属盖12，以将该微机电组件11包覆于其中，而该金属盖12是用以保护该微机电组件11不受外界环境的污染破坏，而该微机电组件封装结构的缺点为体积过大，无法符合终端产品轻薄短小的需求。

请参阅图2，故为了缩小具微机电压力感测组件的整体封装结构体积，业界又于公元2005年申请一晶片级压力感测封装结构的专利案(公开号为US 2006/0185429)，该封装结构通过将例如为压力感测组件的微机电组件21直接制作于硅基板23上，最后并借由阳极接合(anodic bonding)于该微机电组件21上接合玻璃盖体24。

然而，于该硅基板23中形成感测腔体231及贯通硅基板23两表面的通孔232，因此需要使用硅通孔(Through Silicon Via，简称TSV)技术，而该技术是应用氢氧化钾(KOH)作为蚀刻剂以形成通孔或凹槽。

相较于前述第一种现有技术结构，第2006/0185429号专利所揭示的结构虽可大幅缩小具微机电组件的封装结构的整体体积，但是以TSV技术形成通孔及凹槽的制程不仅价格昂贵，且技术精密度要求也高，故将微机电组件封装结构以晶片制程制作，虽可得到尺寸较小的封装件，但该技术复杂且耗费成本甚钜。

因此，如何避免上述现有技术中的种种问题，以使具微机电组件的封装结构的制造成本与体积减少，实已成为目前亟欲解决的课题。

发明内容

有鉴于上述现有技术的缺失，本发明的主要目的在于提供一种具微机电组件的封装结构的制法，以节省生产成本，并能降低整体厚度与体积。

本发明所揭露的具微机电组件的封装结构的制法，包括：准备一具有相对的第一表面与第二表面的板体、以及一具有相对的第三表面与第四表面的晶片，该板体第一表面上具有多个凹槽、多个第一对位键与对应位于各该凹槽周缘的多个密封环，该第三表面上具有多个微机电组件、多个电性接点与多个第二对位键；将该板体与该晶片结合，其结合方式是令将各该第一对位键对应至各该第二对位键，使该板体的密封环接置于该晶片的第三表面上以达成气密封装，而令各该微机电组件对应设于各该凹槽与密封环中；从该第二表面薄化该板体以减少最终封装结构的厚度；形成金属层于该第二表面上以供后续金属线连接使用；切割该板体，以形成露出该等电性接点与该等第二对位键的板体开口；以粘着剂将多个块体对应粘设于各该第二对位键上，该块体可让该第二对位键得由上方观察；以多个金属线连接该电性接点与该金属层；于该晶片的第三表面上形成封装层，以包覆该板体、电性接点、块体与金属线；从该封装层的顶面移除部分厚度的该封装层与部分该金属线，以外露该金属线的一端供该第二对位键至外部，且该封装层的顶面高于该块体的顶面；移除该块体顶面上的该封装层，以避免该封装层遮蔽视线；以及借由该第二对位键来对位，并于该封装层上形成多个金属导线，该金属导线是借由该金属线以电性连接至该电性接点。

由上可知，本发明的具微机电组件的封装结构的制法无需制作贯穿硅基板的开孔，故无需购买制作贯穿开孔专用的设备，而可降低生产成本；此外，本发明的板体仅罩设该微机电组件，而非罩设于该金属线上方，且移除部分该金属线，所以更能降低整体厚度与体积。

附图说明

图1为一种现有具微机电组件的封装结构的剖视图；

图2为另一种现有具微机电组件的封装结构的剖视图；以及

图3A至图3K为本发明的具微机电组件的封装结构及其制法的剖视图，其中，图3G’为图3G的俯视示意图，图3J’为图3J的另一实施例。

主要组件符号说明

10 基板

11、21、41 微机电组件