[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其包括：

介电层，其具有相对的第一表面与第二表面；

半导体芯片，其置于该介电层的第一表面上；

至少二个电性接触垫，其埋设且外露于该介电层的第一表面，并电性连接该半导体芯片；

多个植球垫，其设于该介电层的第二表面上；以及

多个导电柱，其设于该介电层中，且各该导电柱具有相对的第一端与第二端，该第一端结合该电性接触垫，而第二端结合该植球垫，以电性连接该植球垫与该电性接触垫。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体芯片是以打线方式电性连接该电性接触垫。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括形成于该电性接触垫上的表面处理层。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，形成该表面处理层的材料为镍、钯及金。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括形成于该植球垫上的表面处理层。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其特征在于，形成该表面处理层的材料为镍、钯及金或有机可焊保护材。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括形成于该介电层的第一表面上的封装胶体，以覆盖该半导体芯片与该电性接触垫。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括具有贯穿开口的基板，且该介电层的第一表面设于该基板上以封盖该开口的一侧。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体芯片位于该开口中，且该电性接触垫外露于该开口。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，还包括绝缘保护层，其设于该介电层的第二表面上，且外露该植球垫。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装件还包括多个导电迹线，其埋设于该介电层的第一表面，且位于该至少二个电性接触垫之间。

12.一种半导体封装件的制法，其包括：

于一基板上形成至少二个电性接触垫；

形成多个导电柱于该至少二个电性接触垫上；

形成介电层于该基板上，以包覆该导电柱与电性接触垫，且该介电层外露该导电柱；

形成多个植球垫于该介电层与该导电柱上，以电性连接该导电柱；

形成绝缘保护层于该介电层上，且该绝缘保护层外露该植球垫；

贯穿该基板以形成开口，以令该开口外露该些电性接触垫；以及

置放半导体芯片于该开口中，使该半导体芯片电性连接该些电性接触垫。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该电性接触垫是以电镀方式形成。

14.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该导电柱是以电镀方式形成。

15.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该植球垫是以电镀方式形成。

16.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该开口是以蚀刻方式形成。

17.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该半导体芯片是以打线方式电性连接该电性接触垫。

18.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于形成该开口后，形成表面处理层于该电性接触垫与该植球垫上。

19.根据权利要求18所述的半导体封装件的制法，其特征在于，形成该表面处理层的材料为镍、钯及金。

20.根据权利要求12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于形成该开口前，形成金属层于该绝缘保护层与该植球垫上，且于形成该开口后，再形成表面处理层于该电性接触垫上，接着，移除该金属层。

21.根据权利要求20所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该金属层为以无电电镀方式形成的铜材。

22.根据权利要求20所述的半导体封装件的制法，其特征在于还包括于移除该金属层后，形成另一表面处理层于该植球垫上。