[发明专利]半导体封装件及其制法有效

专利信息
申请号: 201110229561.5 申请日: 2011-08-09
公开(公告)号: CN102903680A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 萧惟中;林俊贤;白裕呈;洪良易;孙铭成 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/60
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制法
【说明书】:

技术领域

本发明有关一种半导体封装件,尤指一种使布线更弹性化的半导体封装件及其制法。

背景技术

随着半导体技术的演进,半导体产品已开发出不同封装产品型态,而为追求半导体封装件的轻薄短小,因而发展出一种四方平面无引脚(Quad Flat No leads,QFN)的封装技术,其特征在于导脚不凸出该胶体表面。

如图1所示,其为第7,795,071号美国专利揭示的QFN封装件的线路结构,其通过于具有贯穿的开口100的承载板10上形成覆盖该开口100一侧的绝缘层14,该绝缘层14具有外露于该开口100的置晶侧14a与相对的植球侧14b,于该置晶侧14a上埋设多个电性接触垫12及导电迹线11,且于该植球侧14b中埋设多个植球垫15。其中,该导电迹线11位于各该电性接触垫12之间,且该植球垫15与该电性接触垫12相接合于该绝缘层14中,又该电性接触垫12用于电性连接芯片(图未示),而该植球垫15结合焊球(图未示)以接置电路板(图未示)。

然而,现有线路结构中,该植球垫15与该电性接触垫12的位置相同(中心对齐),使得焊球布设(solder ball layout)与电性接触垫12的位置需相互配合,造成相互牵制,所以使该植球垫15的植球面积A’受到限制(其宽度约230μm)而无法增加,因而降低焊球的结合力。

此外,各该植球垫15之间的植球间距b’约500μm,且该电性接触垫12的位置需配合该植球垫15,所以各该电性接触垫12(径长d’约290μm)的间距也需配合各该植球垫15的植球间距b’,而无法增加各该电性接触垫12的间距,导致该导电迹线11的数量受限(导电迹线11的线宽w’与线距t’均约40μm),如图所示的最多两条导电迹线11,因而难以提升布线密度。

因此,如何克服现有技术于提升布线密度上的瓶颈,实为一重要课题。

发明内容

为克服现有技术的问题,本发明提出一种布线弹性化的半导体封装件及其制法,可依需求调整植球垫的植球面积,使布线更弹性化。

本发明所提供的半导体封装件,包括:具有相对的第一与第二表面的介电层;置于该介电层的第一表面上的半导体芯片;埋设且外露于该介电层的第一表面,并电性连接该半导体芯片的至少二个电性接触垫;设于该介电层的第二表面上的多个植球垫;以及设于该介电层中的多个导电柱,且各该导电柱具有相对的第一端与第二端,该第一端结合该电性接触垫,而第二端结合该植球垫,以电性连接该植球垫与该电性接触垫。

本发明还提供一种半导体封装件的制法,其包括:于一基板上形成至少二个电性接触垫;形成至少二个导电柱于该电性接触垫上;形成介电层于该基板上,以包覆该导电柱与电性接触垫,且该介电层外露该导电柱;形成多个植球垫于该介电层与该导电柱上,以电性连接该导电柱;形成绝缘保护层于该介电层上,且该绝缘保护层外露该植球垫;贯穿该基板以形成开口,以令该开口外露该些电性接触垫;以及置放半导体芯片于该开口中,使该半导体芯片电性连接该些电性接触垫。

本发明的半导体封装件及其制法中,通过先于电性接触垫上形成导电柱,再于导电柱上形成植球垫,使植球垫的布设与电性接触垫的位置无需相互配合,所以该植球垫的位置及植球面积可任意调整,以增加焊球布设的设计弹性。

此外,因各该电性接触垫的间距不需配合各该植球垫的间距,所以可依需求调整各该电性接触垫的间距,以增加电性接触垫布设的设计弹性,使各该电性接触垫之间可弹性化设计导电迹线的数量,进而可调整布线密度。

另外,依前述的本发明的半导体封装件及其制法,本发明还提供其更具体的技术,详如后述。

附图说明

图1为现有QFN封装件的线路结构的剖面示意图;以及

图2A至图2G为本发明半导体封装件的制法的剖面示意图;其中,图2E’至图2F’为图2E至图2F的另一实施例。

主要组件符号说明

10 承载板

100,200 开口

11,21 导电迹线

12,22 电性接触垫

14 绝缘层

14a 置晶侧

14b 植球侧

15,25,25’ 植球垫

2 半导体封装件

20 基板

210,230 光阻

23 导电柱

23a 第一端

23b 第二端

24 介电层

24a 第一表面

24b 第二表面

250,250’ 表面处理层

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