[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201110229810.0 | 申请日: | 2011-08-08 |
公开(公告)号: | CN102376745A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 吴在焕;陈圣铉;张荣真;李源规;崔宰凡;朴喆镐 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
薄膜晶体管,包括活性层、栅电极以及源电极和漏电极;
有机发光器件,依次层叠有像素电极、中间层以及相对电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管电连接,所述中间层包括发光层;
储能电容器,包括电容器第一电极以及电容器第二电极,所述电容器第一电极形成于与所述活性层相同的层上,介于所述电容器第二电极与所述电容器第一电极之间具有第一绝缘层,所述电容器第二电极与所述电容器第一电极相对地形成;以及
连接电极,电连接所述活性层和所述电容器第一电极。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
以多晶硅形成所述活性层,以非晶硅形成所述电容器第一电极。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述连接电极以与所述栅电极相同的物质形成于相同的层上。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述第一绝缘层形成为覆盖所述活性层和所述电容器第一电极;
在所述第一绝缘层中,对应于所述活性层以及所述电容器第一电极的各个区域形成有预定的接触孔,通过所述接触孔,所述连接电极电连接所述活性层和所述电容器第一电极。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,
所述连接电极以与所述源电极和漏电极相同的物质形成于相同的层上。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其特征在于,
还包括第二绝缘层;
所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层形成为覆盖所述活性层和所述电容器第一电极;
在所述第一绝缘层以及所述第二绝缘层中,对应于所述活性层以及所述电容器第一电极的各个区域形成有预定的接触孔,通过所述接触孔,所述连接电极电连接所述活性层和所述电容器第一电极。
7.一种有机发光显示装置,包括:
活性层以及电容器第一电极,所述活性层形成于基板上,在形成有所述活性层的相同的层上间隔预定距离形成有所述电容器第一电极;
第一绝缘层,覆盖所述活性层以及所述电容器第一电极;
栅电极以及连接电极,所述栅电极形成于所述第一绝缘层上,所述连接电极以与所述栅电极相同的物质间隔预定距离形成于相同的层上,从而电连接所述活性层以及所述电容器第一电极;
第二绝缘层,以覆盖所述栅电极以及所述连接电极;
源电极和漏电极以及电容器第二电极,所述源电极和漏电极形成于所述第二绝缘层上,所述电容器第二电极以与源电极和漏电极相同的物质间隔预定距离形成于相同的层上;以及
有机发光器件,依次层叠有像素电极、中间层以及相对电极,所述像素电极与所述源电极或漏电极电连接,所述中间层包括发光层。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置,其特征在于,
以多晶硅形成所述活性层,以非晶硅形成所述电容器第一电极。
9.一种有机发光显示装置,包括:
活性层以及电容器第一电极,所述活性层形成于基板上,在形成有所述活性层的相同的层上间隔预定距离形成有所述电容器第一电极;
第一绝缘层,覆盖所述活性层以及所述电容器第一电极;
栅电极以及电容器第二电极,所述栅电极形成于所述第一绝缘层上,所述电容器第二电极以与栅电极相同的物质间隔预定距离形成于相同的层上;
第二绝缘层,覆盖所述栅电极以及所述电容器第二电极;
源电极和漏电极以及连接电极,所述源电极和漏电极形成于所述第二绝缘层上,所述连接电极以与所述源电极和漏电极相同的物质形成于相同的层上,以电连接所述活性层以及所述电容器第一电极;以及
有机发光器件,依次层叠有像素电极、中间层以及相对电极,所述像素电极与所述源电极或漏电极电连接,所述中间层包括发光层。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其特征在于,
以多晶硅形成所述活性层,以非晶硅形成所述电容器第一电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的