[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法，尤其涉及提高了用于结晶化的激光效率的有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有源矩阵型(Active Matrix type，简称为AM)有机发光显示装置中，每个像素分别具有像素驱动电路，该像素驱动电路包括使用了硅的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称为TFT)。用于构成薄膜晶体管的硅有非晶硅或多晶硅。

由于构成源、栅以及沟道的半导体活性层为非晶硅，因此，适用于像素驱动电路的非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon TFT，简称为a-Si TFT)具有1cm²/Vs以下的电子迁移率。因而，最近以多晶硅薄膜晶体管(polycrystalline silicon TFT，简称为poly-Si TFT)替代所述非晶硅薄膜晶体管成为了趋势。相比于非晶硅薄膜晶体管，这种多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率大，并对光照射的稳定性优异。从而，该多晶硅薄膜晶体管非常适合用于AM有机发光显示装置的驱动和/或开关薄膜晶体管的活性层。

可以以多种方法制造如上所述的多晶硅，其大致可分为：直接沉积多晶硅的方法和沉积非晶硅之后进行结晶化的方法。

直接沉积多晶硅的方法有：热化学汽相沉积法(Chemical Vapor Deposition，简称为CVD)、光照射式CVD(PhotoCVD)、HR(hydrogen radical，简称为HR)CVD、电子自旋共振(electron cyclotron resonance，简称为ECR)CVD、等离子体增强(Plasma Enhanced，简称为PE)CVD、低压(Low Pressure，简称为LP)CVD等。

另外，沉积非晶硅之后进行结晶化的方法有：固相晶化(Solid Phase Crystallization，简称为SPC)法、准分子激光再结晶(Excimer Laser Crystallization，简称为ELC)法、金属诱发晶化(Metal Induced Crystallization，简称为MIC)法、金属诱发侧向晶化(Metal Induced Lateral Crystallization，简称为MILC)法、连续侧向固化(Sequential Lateral Solidification，简称为SLS)法等。

图1图示了在沉积非晶硅之后将其结晶化的结晶化设备。

所述结晶化设备9包括：激光发生装置91，发生激光束L；聚焦透镜92，聚焦从所述激光发生装置发射出的所述激光束L；以及缩小透镜93，按一定的比率，缩小已通过所述聚焦透镜92的激光束L。

所述激光发生装置91，发射出在光源中未经加工的激光束L，通过使激光束L透过衰减器(未图示)(attenuator)来调节能量大小，激光束L通过所述聚焦透镜92来照射。

另外，对应于所述激光发生装置91的位置上放置有x-y坐标台94，所述x-y坐标台94上固定有沉积有非晶硅层的基板。此时，为了结晶化所述基板10的所有区域，使用如下方法：通过移动所述x-y坐标台94，以逐渐扩大结晶区域。

下面探讨使用如上所述的现有结晶化设备来将硅结晶化的方法。

通常，在所述基板上形成作为绝缘膜的缓冲层(buffer layer)(未图示)，在所述缓冲层的上部沉积非晶硅层之后，使用激光将其结晶化，从而形成晶化硅。通常，所述非晶硅层利用化学汽相沉积法(CVD)等而沉积于基板上。

但是，利用现有激光束的结晶化方法对基板的全部区域进行了结晶化，即，对像素区域和电路区域全部进行了结晶化，同样地，在像素区域中对沟道区域、存储区域和发光区域全部进行了结晶化。并且，由于激光束的光束宽度有限，因此，激光发生装置或基板相对彼此进行相对移动的同时，进行结晶化。然而，随着有机发光显示装置的大型化，导致了需结晶化的面积也逐渐扩大，从而导致了在激光发生装置中用于发生激光的维护费随之上升、生产效率随之降低的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供有机发光显示装置及其制造方法，以提高用于结晶化的激光效率的同时降低维护费。