[发明专利]用于晶片级突起回流的设备、系统和方法无效

专利信息
申请号: 201110229962.0 申请日: 2011-08-08
公开(公告)号: CN102376598A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 朴明洵;郑泰敬;安殷徹;李宜珩;李相熙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/67;H01L23/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;刘奕晴
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 晶片 突起 回流 设备 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种用于形成晶片级突起的方法,所述方法包括如下步骤:

在晶片的第一表面上形成至少一个预突起;

在晶片的第一表面面朝下的同时,针对晶片执行突起回流工艺,以形成突起。

2.如权利要求1所述的方法,其中,突起回流工艺是将热施加到晶片的与第一表面相对的第二表面的工艺。

3.一种用于晶片级突起回流的设备,所述设备包括:

回流区域,在回流区域,具有位于第一表面上的至少一个预突起的晶片被设置为第一表面面朝下,且针对该晶片执行突起回流工艺,以形成突起。

4.如权利要求3所述的设备,其中,回流区域包括:

塔式回流部件,具有至少一个晶片台,在所述至少一个晶片台处,晶片被设置为第一表面面朝下;

加热部件,将热施加到晶片的与第一表面相对的第二表面。

5.如权利要求4所述的设备,其中,塔式回流部件沿一个方向旋转。

6.如权利要求4所述的设备,所述设备还包括:

晶片引导件,设置在晶片台中,以限制晶片台上的晶片的运动。

7.如权利要求4所述的设备,其中,晶片台具有深度大于预突起的高度的凹进形状。

8.如权利要求4所述的设备,其中,晶片台具有穿过塔式回流部件的孔形状。

9.如权利要求4所述的设备,其中,加热部件被构造为上下运动。

10.如权利要求3所述的设备,其中,回流区域包括:

传送带式回流部件,用于移动晶片;

加热部件,用于将热施加到晶片的与第一表面相对的第二表面,

其中,晶片在与传送带式回流部件分开的同时、在第一表面面朝下的情况下容纳在夹具处,夹具安装在传送带式回流部件上。

11.如权利要求10所述的设备,其中,夹具包括:

容纳部件,用于容纳晶片;

支撑板,用于将夹具安装在传送带式回流部件上;

支撑部件,连接支撑板和容纳部件,以支撑容纳部件。

12.如权利要求11所述的设备,其中,容纳部件具有截面为C形的局部开口的环形,从而在容纳部件中容纳晶片。

13.如权利要求12所述的设备,其中,容纳部件包括彼此分开的多个段。

14.如权利要求13所述的设备,其中,支撑部件包括支撑柱,支撑柱的数量与容纳部件的段的数量对应。

15.如权利要求3所述的设备,所述设备还包括:

装载部件,用于在第一表面面朝上的情况下容纳多个晶片,并将晶片传送到回流区域;

卸载部件,用于从回流区域卸载在突起回流工艺中形成了突起的晶片,并用于在第一表面面朝上的情况下容纳晶片。

16.一种用于晶片级突起回流的系统,所述系统包括:

晶片,包括第一表面和第二表面,第一表面具有至少一个预突起,第二表面在与第一表面相对的一侧上;

回流部件,用于在突起回流工艺期间将晶片保持具有朝下的第一表面,以在第一表面上由所述至少一个预突起形成至少一个突起。

17.如权利要求16所述的系统,所述系统还包括:

加热部件,用于在突起回流工艺期间加热所述至少一个预突起,以形成第一表面上的所述至少一个突起。

18.如权利要求17所述的系统,其中,加热部件通过将热施加到位于晶片的与第一表面相对的一侧上的晶片的第二表面来加热所述至少一个预突起。

19.如权利要求16所述的系统,所述系统还包括:

第一移送单元,用于将晶片从装载部件传送到回流部件,所述装载部件容纳具有预突起的晶片,

其中,第一移送单元是第一机器人臂,第一机器人臂具有用于携带晶片的第一叶片形端部,且第一叶片形端部被构造为被第一机器人臂旋转以倒置晶片。

20.如权利要求16所述的系统,所述系统还包括:

第二移送单元,用于在形成了所述至少一个突起之后将晶片从回流部件传送到卸载部件,以卸载晶片,

其中,第二移送单元是第二机器人臂,第二机器人臂具有用于携带晶片的第二叶片形端部,且第二叶片形端部被构造为被第二机器人臂旋转以倒置晶片。

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