[发明专利]用于晶片级突起回流的设备、系统和方法

说明书

本申请要求在2010年8月6日提交的第10-2010-0075912号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用包含于此。

技术领域

这里的本公开涉及一种用于突起回流的设备和使用该设备形成突起方法，更具体地讲，涉及一种用于晶片级突起回流的设备和使用该设备形成晶片级突起的方法。

背景技术

最近，随着半导体装置的性能和与半导体装置相关的系统变得越来越先进，对于倒装芯片(chip)封装件的需求正日益增加，且正在进一步开展对于倒装芯片(chip)封装件技术的研究。具体地讲，随着设计规格的缩小，焊盘的间距正逐渐减小，且引线键合工艺已经到达了其所能达到的水平。为了克服这些限制，对于倒装芯片(chip)技术的需求正不断增长。

在倒装芯片技术中，在印刷电路板(PCB)和芯片(die)(半导体芯片(chip))之间需要足够的距离以确保底部填充(underfill)，并需要大体积的焊料来实现充分的物理接触和电接触。因此，期望一种用于确保底部填充和实现充分的物理接触和电接触的行之有效的方法。

发明内容

因此，本发明总体构思的实施例提供能够形成体积大的足以在封装工艺期间提供充足的底部填充间隙的焊料突起的用于晶片级突起回流的设备。

本发明构思的实施例还提供能够形成体积大的足以在封装工艺期间提供充足的底部填充间隙的焊料突起的使用用于晶片级突起回流的设备来形成突起的方法。

本发明总体构思的其他特征、用途和优点将在随后的描述中得到一定程度地阐述，并且通过描述在一定程度上将是明显的，或者可以通过实施本发明总体构思而获知。

本发明总体构思的实施例提供形成晶片级突起的方法。所述方法包括如下步骤：在晶片的第一表面上形成至少一个预突起；在晶片的第一表面面朝下的同时，针对晶片执行突起回流工艺，以形成突起。

在一些实施例中，可以以主轴与晶片的第一表面垂直的椭圆形状来形成突起。

在其他的实施例中，突起回流工艺可以是将热施加到晶片的与第一表面相对的第二表面的工艺。

在另一实施例中，预突起可以为包含铜的焊料材料。

本发明总体构思的其他的实施例提供一种用于晶片级突起回流的设备。所述设备包括：回流区域，在第一表面上具有至少一个预突起的晶片在第一表面面朝下的情况下设置在回流区域处，且针对该晶片执行突起回流工艺，以形成至少一个突起。

在一些实施例中，回流区域可以包括：塔式回流部件，具有至少一个晶片台，晶片在第一表面面朝下的情况下设置在所述至少一个晶片台上；加热部件，将热施加到晶片的与第一表面相对的第二表面。塔式回流部件可以沿一定方向旋转。所述设备还可以包括：晶片引导件，设置在晶片台中，以限制晶片在晶片台上的运动。晶片引导件可以与晶片的至少三个点接触，以限制晶片的运动。晶片台可以具有深度大于预突起的高度的凹进形状。晶片台可以具有穿过塔式回流部件的孔形状。加热部件可以被构造为上下运动。

在其他的实施例中，回流区域可以包括：传送带式回流部件，用于移动晶片；加热部件，用于将热施加到晶片的第二表面。晶片可以在与传送带式回流部件分开的同时、在第一表面面朝下的情况下容纳在夹具处，夹具安装在传送带式回流部件上。夹具可以包括：容纳部件，用于容纳晶片；支撑板，用于将夹具安装在传送带式回流部件上；支撑部件，连接支撑板和容纳部件，以支撑容纳部件。容纳部件可以具有截面为C形的局部开口的环形，从而在容纳部件中容纳晶片。容纳部件可以包括彼此分开的多个段。支撑部件可以包括支撑柱，支撑柱的数量与容纳部件的段的数量对应。支撑部件可以包括至少三个支撑柱。

在另一些其他的实施例中，所述设备还可以包括：装载部件，用于在第一表面面朝上的情况下容纳多个晶片，并将晶片传送到回流区域；卸载部件，用于从回流区域卸载在突起回流工艺中形成了突起的晶片，并用于容纳具有面朝上的第一表面的晶片。所述设备还可以包括：第一移送器，用于在第一表面面朝下的情况下将晶片从装载部件传送到回流区域；第二移送器，用于在第一表面面朝上的情况下将晶片从回流区域传送到卸载部件。

本发明总体构思的其他的实施例提供一种形成晶片级突起的方法，所述方法包括如下步骤：在晶片的第一表面上形成至少一个预突起；将晶片定位为具有面朝下的至少一个预突起；执行突起回流工艺，以在晶片的第一表面上从所述至少一个预突起形成至少一个突起。