[发明专利]单晶硅片的清洗工艺

权利要求书

1. 一种单晶硅片的清洗工艺，其特征是，包括如下步骤：

（1）预冲洗：将切割完的单晶硅片放入花篮中，依次推入四槽脱胶机的四个槽，在1号、2号槽中进行预冲淋，纯水温度为45～50℃，时间为6-7分钟，在3号槽中进行超声清洗，超声6-7分钟，水温55-60℃，超声频率为45-50赫兹，在4号槽中加入3%-5%体积浓度的乳酸或草酸或柠檬酸，超声清洗6-7分钟，水温55-60℃，超声频率为45-50赫兹；

（2）脱胶：将预冲洗后的硅片浸泡在水中，水温50～60℃，自然倒状，人工撕掉胶片，脱胶完毕后将硅片装入清洗片盒中；

（3）超声波清洗：将装好的片盒浸入六槽式超声波清洗机的第一、第二槽清水中各粗洗6-7分钟，水温45～50℃；将粗洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第三、第四槽的清洗液中各精洗6-7分钟，水温60～65℃；将精洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第五、第六槽的清水中各漂洗6-7分钟，同时打开溢流阀，水温55～60℃；

（4）甩干：将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干，温度55℃，转速400转，时间6-7分钟；

（5）检验：将甩干后的硅片进行外观检测，检测合格后转入其他工序。

2.按照权利要求1所述的单晶硅片的清洗工艺，其特征是：所述清洗液的配制：首先将硅片清洗剂的A剂与B剂按照1∶2的体积比混合均匀制成混合物，然后将上述混合物与去离子水按3:100的重量比混合并搅拌均匀，配制成清洗液。