[发明专利]单晶硅片的清洗工艺

说明书

技术领域

 本发明涉及光伏技术领域的单晶硅片生产工艺，具体地说是一种单晶硅片的清洗工艺。

背景技术

随着全球范围内绿色能源的推广和近年来半导体产业的飞速发展，对硅片的要求也越来越苛刻。作为硅片上游生产的关键技术，近年来崛起的新型硅片清洗工艺具有清洗表面质量高、清洗效率高等优点。现有的硅片清洗工艺一般包括脱胶、清洗及甩干步骤，但由于清洗时间和水温的控制不当，在生产过程中稳定性比较差，第一批次和第三批次硅片的清洗液残留相差30%，而且第三批次后洗出来的硅片往往出现花污片，合格率有时仅仅只有80%左右，造成了极大的损失。

发明内容

本发明针对上述现有技术的不足，提供一种稳定性高、合格率高的单晶硅片的清洗工艺。

按照本发明提供的技术方案：一种单晶硅片的清洗工艺，包括如下步骤：

（1）预冲洗：将切割完的单晶硅片放入花篮中，依次推入四槽脱胶机的四个槽，在1号、2号槽中进行预冲淋，纯水温度为45～50℃，时间为6-7分钟，在3号槽中进行超声清洗，超声6-7分钟，水温55-60℃，超声频率为45-50赫兹，在4号槽中加入3%-5%体积浓度的乳酸或草酸或柠檬酸，超声清洗6-7分钟，水温55-60℃，超声频率为45-50赫兹；

（2）脱胶：将预冲洗后的硅片浸泡在水中，水温50～60℃，自然倒状，人工撕掉胶片，脱胶完毕后将硅片装入清洗片盒中；

（3）超声波清洗：将装好的片盒浸入六槽式超声波清洗机的第一、第二槽清水中各粗洗6-7分钟，水温45～50℃；将粗洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第三、第四槽的清洗液中各精洗6-7分钟，水温60～65℃；将精洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第五、第六槽的清水中各漂洗6-7分钟，同时打开溢流阀，水温55～60℃；

（4）甩干：将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干，温度55℃，转速400转，时间6-7分钟；

（5）检验：将甩干后的硅片进行外观检测，检测合格后转入其他工序。

所述清洗液的配制：首先将常州君合厂家提供的JH-15硅片专用清洗剂的A剂与B剂按照1∶2的体积比混合均匀制成混合物，然后将上述混合物与去离子水按3:100的重量比混合并搅拌均匀，配制成清洗液。

本发明与已有技术相比具有以下优点：清洗效果好，合格率大幅提高，极大地提高了机器的工作效率。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步的说明。

实施例1

一种单晶硅片的清洗工艺，包括如下步骤：

（1）预冲洗：将切割完的单晶硅片放入花篮中，依次推入四槽脱胶机的四个槽，在1号、2号槽中进行预冲淋，纯水温度为45℃，时间为6分钟，在3号槽中进行超声清洗，超声6分钟，水温55℃，超声频率为45赫兹，在4号槽中加入3%体积浓度的乳酸，超声清洗6分钟，水温55℃，超声频率为45赫兹；

（2）脱胶：将预冲洗后的硅片浸泡在水中，水温50℃，自然倒状，人工撕掉胶片，脱胶完毕后将硅片装入清洗片盒中；

（3）超声波清洗：将装好的片盒浸入六槽式超声波清洗机的第一、第二槽清水中各粗洗6分钟，水温45℃；将粗洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第三、第四槽的清洗液中各精洗6分钟，水温60℃；将精洗后的硅片浸入六槽式超声波清洗机的第五、第六槽的清水中各漂洗6分钟，同时打开溢流阀，水温55℃；

（4）甩干：将清洗后的硅片在离心甩干装置中进行离心甩干，温度55℃，转速400转，时间6分钟；

（5）检验：将甩干后的硅片进行外观检测，要求外观均匀、无油脂、杂质、色差、水迹、过腐蚀发黑等不良现象，外观质量好，检测合格后转入其他工序。

超声波清洗中清洗液的配制：首先将常州君合厂家提供的JH-15硅片专用清洗剂的A剂与B剂按照1∶2的体积比混合均匀制成混合物，然后将上述混合物与去离子水按3:100的重量比混合并搅拌均匀，配制成清洗液。硅片清洗剂的A剂与B剂为市售产品。

实施例2

一种单晶硅片的清洗工艺，包括如下步骤：

（1）预冲洗：将切割完的单晶硅片放入花篮中，依次推入四槽脱胶机的四个槽，在1号、2号槽中进行预冲淋，纯水温度为50℃，时间为7分钟，在3号槽中进行超声清洗，超声7分钟，水温60℃，超声频率为50赫兹，在4号槽中加入5%体积浓度的草酸，超声清洗7分钟，水温60℃，超声频率为50赫兹；