[发明专利]蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置有效
申请号: | 201110231962.4 | 申请日: | 2011-08-11 |
公开(公告)号: | CN102376558A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 小笠原正宏;加藤义之;水野秀树;早川欣延 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蚀刻 气体 供给 方法 装置 | ||
1.一种蚀刻气体的供给方法,其特征在于,其包括:
将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内的步骤;
将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤,
从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时,只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给到上述处理容器内。
2.根据权利要求1所述的蚀刻气体的供给方法,其特征在于,
上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体的流量被气体流量控制设备控制;
上述微少量被控制成上述气体流量控制设备能够控制的最大流量的1%~3%。
3.根据权利要求1或者2所述的蚀刻气体的供给方法,其特征在于,
上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体的流量被气体流量控制设备控制;
上述微少量被控制成上述气体流量控制设备能够控制的最小流量以上的微少量。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的蚀刻气体的供给方法,其特征在于,
在存在上述切换前的蚀刻气体所含有且切换后的蚀刻气体所不含有的多种气体的情况下,以微少量将该多种气体分别继续供给。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的蚀刻气体的供给方法,其特征在于,
上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体在针对每种气体设置的多个独立气体供给管线中流动,在与该多个独立气体供给管线连接的共用配管处合流,被供给到上述处理容器内。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的蚀刻气体的供给方法,其特征在于,
上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体的切换被交替地反复执行;
每次从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时,以微少量将切换前的工艺所需要且切换后的工艺所不需要的蚀刻气体供给。
7.根据权利要求1~6中任意一项所述的蚀刻气体的供给方法,其特征在于,
上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体为沉积性比另一种气体的沉积性强的气体。
8.一种蚀刻装置,其包括:
处理容器、用于在上述处理容器内中载置被处理体的基座、用于供给气体的气体供给源、用于对气体的流量进行控制的气体流量控制设备,该蚀刻装置用于在上述处理容器内使气体激发而对上述被处理体进行等离子体蚀刻,其特征在于,
上述气体供给源将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体和第2蚀刻气体供给到上述处理容器内;
从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时,上述气体流量控制设备以只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给到上述处理容器内的方式对气体流量进行控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造