[发明专利]蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。

背景技术

通常，在半导体制造装置的气体的供给系统中，多种气体从设在装置外的气体箱输出，经由多个独立气体供给管线而在一根共用配管(歧管)处合流，被导入到半导体制造装置的处理容器内。

在同一个装置内切换气体种类时，为了不给切换前后的工艺带来不良影响而进行了一种试验。作为该试验的一个例子，提出有在执行切换后的工艺之前执行5秒左右的稳定步骤的试验。由此，能够确保切换后的工艺的稳定性(stability)。另外，由此，在质量流量控制器(MFC：Mass Flow Controller)的阀被从闭控制成开时的初期产生的气体流量的波动(overshoot)在稳定步骤中被吸收，因此，能够避免上述波动给切换后的工艺带来不良影响。

在专利文献1以及专利文献2中公开有一种在蚀刻工序与成膜工序的切换工序中对气体进行控制的技术。例如，在专利文献1中，提出有在切换蚀刻气体与沉积气体之间设置包括蚀刻气体与沉积气体双方的过渡工序，由此，缓和切换时的气体种类的不连续性。在专利文献2中提出有在切换蚀刻气体与沉积气体时用被安装在各气体供给管线上的质量流量控制器分别对各气体的流量进行控制，并用被安装在共用配管上的质量流量控制器对混合后的气体的总流量进行控制，之后将该气体供给到处理容器内。

专利文献1：日本特开平11-195641号公报

专利文献2：日本特开2000-306887号公报

然而，在专利文献1、专利文献2中，完全没有公开对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制、从而进行使气体流量稳定的控制的气体的供给方法。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的在于提供一种能够使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制、从而进行使气体流量稳定的控制的蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。

为了解决上述问题，采用本发明的一个技术方案，提供一种蚀刻气体的供给方法，其特征在于，其包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内的步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给到上述处理容器内。

采用该结构，在切换气体时，在切换后也只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要、但作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。由此，能够消除在质量流量控制器的阀被从闭切换到开时产生的气体流量的波动现象，能够避免对切换后的蚀刻产生由上述现象引起的影响。另外，采用该结构，不需要切换用的阀、切换用的配管，能够以原样地使用原有的装置的简易的方法进行使气体流量稳定的控制。

上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体的流量也可以被气体流量控制设备控制，将上述微少量控制成上述气体流量控制设备能够控制的最大流量的1％～3％。

上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体的流量也可以被气体流量控制设备控制，将上述微少量控制成上述气体流量控制设备能够控制的最小流量以上的微少量。

也可以在存在上述切换前的蚀刻气体所含有且切换后的蚀刻气体所不含有的多种气体的情况下，以微少量将该多种气体分别继续供给。

上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体也可以在针对每种气体设置的多个独立气体供给管线中流动，在与该多个独立气体供给管线连接的共用配管处合流，被供给到上述处理容器内。

上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体的切换也可以被交替地反复执行，每次从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，以微少量将切换前的工艺所需要且切换后的工艺所不需要的蚀刻气体供给。

上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体也可以为沉积性比另一种气体的沉积性强的气体。