[发明专利]一种提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法

权利要求书

1.一种提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法，一设置有浅沟槽的硅衬底，第一氧化物层覆盖除浅沟槽部分以外的硅衬底的上表面上，一氮化硅层覆盖第一氧化层，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1：淀积第二氧化物层覆盖在浅沟槽底部及其侧壁上；

步骤S2：采用填充工艺填充氧化物于浅沟槽内；

步骤S3：旋涂光刻胶，光刻去除浅沟槽开口处的光刻胶，回蚀浅沟槽内上部的一部分填充氧化物，之后去除剩余光刻胶；

步骤S4：再次采用填充工艺填充氧化物充满浅沟槽后，进行平坦化处理。

2.根据权利要求1所述的提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法，其特征在于，所述第二氧化物层和填充氧化物为相同材质。

3.根据权利要求1所述的提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法，其特征在于，所述步骤S2和步骤S4中的填充工艺为高浓度等离子流或超高宽比填充工艺。

4.根据权利要求1所述的提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法，其特征在于，所述步骤S1中的超高高宽比为高宽比大于10:1。

5.根据权利要求1所述的提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法，其特征在于，步骤S4中采用化学机械研磨工艺进行平坦化处理。

6.根据权利要求1所述的提高超高深宽比浅槽隔离工艺中填充性能的方法，其特征在于，第一氧化物层为垫氧化层，第二氧化物层为衬底氧化层薄膜。