[发明专利]接触结构及半导体器件有效
| 申请号： | 201110233050.0 | 申请日： | 2000-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102339812A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;G02F1/13;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 结构 半导体器件 | ||
1.一种显示器件，包括：
基片；
在所述基片上的端子部分中的连接布线；
在所述连接布线上的保护膜，该保护膜具有树脂；以及
各向异性导电膜，该各向异性导电膜将所述连接布线电连接到外部电源，
其中，所述保护膜覆盖所述连接布线的侧面。
2.根据权利要求1所述的显示器件，
其中，所述连接布线包括选自铝、钛、钼、钽和钨的一种金属。
3.根据权利要求1所述的显示器件，
其中，所述连接布线包括钛膜和在所述钛膜上的铝膜。
4.根据权利要求1所述的显示器件，
其中，所述连接布线包括选自In2O3、In2O3-SnO2、In2O3-ZnO、ZnO和掺有镓的ZnO的一种材料。
5.根据权利要求1所述的显示器件，还包括在所述基片上的相对基片，
其中，所述基片和所述相对基片通过密封剂粘在一起，该密封剂形成在所述端子部分的内部。
6.一种显示器件，包括：
基片；
在所述基片上的端子部分中的连接布线；
在所述连接布线上的保护膜，该保护膜具有树脂；以及
各向异性导电膜，该各向异性导电膜将所述连接布线电连接到外部电源，
其中，所述保护膜覆盖所述连接布线的侧面，以及
其中，所述连接布线具有锥形截面。
7.根据权利要求6所述的显示器件，
其中，所述连接布线包括选自铝、钛、钼、钽和钨的一种金属。
8.根据权利要求6所述的显示器件，
其中，所述连接布线包括钛膜和在所述钛膜上的铝膜。
9.根据权利要求6所述的显示器件，
其中，所述连接布线包括选自In2O3、In2O3-SnO2、In2O3-ZnO、ZnO和掺有镓的ZnO的一种材料。
10.根据权利要求6所述的显示器件，还包括在所述基片上的相对基片，
其中，所述基片和所述相对基片通过密封剂粘在一起，该密封剂形成在所述端子部分的内部。
11.一种显示器件，包括：
在基片上的像素部分，该像素部分包括：
具有栅极布线和源极/漏极布线的薄膜晶体管；以及
在所述基片上并在所述像素部分外部的端子部分，该端子部分包括：
连接布线；
在所述连接布线上的保护膜，该保护膜具有树脂；以及
各向异性导电膜，该各向异性导电膜将所述连接布线电连接到外部电源，
其中，所述连接布线和所述源极/漏极布线在相同的工艺中形成。
12.根据权利要求11所述的显示器件，
其中，所述连接布线包括选自铝、钛、钼、钽和钨的一种金属。
13.根据权利要求11所述的显示器件，
其中，所述连接布线包括钛膜和在所述钛膜上的铝膜。
14.根据权利要求11所述的显示器件，
其中，所述连接布线包括选自In2O3、In2O3-SnO2、In2O3-ZnO、ZnO和掺有镓的ZnO的一种材料。
15.根据权利要求11所述的显示器件，还包括在所述基片上的相对基片，
其中，所述基片和所述相对基片通过密封剂粘在一起，该密封剂形成在所述端子部分的内部。
16.根据权利要求11所述的显示器件，还包括：
在所述基片上的相对基片；以及
在所述基片和所述相对基片之间的隔离物，
其中，所述保护膜和所述隔离物在相同工艺中形成。
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