[发明专利]接触结构及半导体器件

说明书

本申请是申请日为2000年7月14日、申请号为00121737.2、发明名称为“接触结构及半导体器件”的专利申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及包括在具有绝缘表面的基片上形成的由薄膜晶体管(下文称作TFT)构成的电路加工的半导体器件，还涉及一种将由TFT构成的电路连接到另一基片的电路上的端子结构。具体地，本发明提供一种适合于具有像素部分并且驱动电路提供在相同基片上像素部分周边中的液晶显示器件、电致发光显示器件、以及安装有与以上显示器件成一体的电光器件的电子设备的技术。注意在本说明书中，半导体器件是指利用半导体特性工作的一般器件，不仅以上的液晶显示器件，而且以上与显示器件成一体的电子设备也归为半导体器件。 

背景技术

在通常为有源矩阵型液晶显示器件的电光器件中，现已开发了利用TFT构成开关元件和有源电路的技术。TFT由通过汽相生长在如玻璃基片等的基片上形成作为有源层的半导体膜形成。如硅或硅锗等由硅作为基本组成部分的材料适合于用做上述半导体膜。此外，根据硅半导体膜的制造方法可以得到非晶硅膜或通常如多晶硅膜等的晶体硅膜。 

使用非晶硅膜作为有源层的TFT由于非晶结构导致的电性能等基本上不能得到几cm²/Vsec以上的电场效应迁移率。因此，尽管能够利用TFT作为开关元件(像素TFT)驱动在像素部分的每个像素 中形成的液晶，但不可能形成TFT到作为进行图像显示的驱动电路的程度。为了提供进行图像显示的驱动电路，现在已使用了通过TAB(自动载带键合)法或COG(玻板上芯片)法安装驱动器IC。 

另一方面，对于使用晶体硅作为有源层的TFT，可以得到高电场效应迁移率，以在相同的玻璃基片上形成各种功能电路。在驱动器电路中，除了像素TFT，电路基本上由n沟道TFT和p沟道TFT组成的CMOS电路形成，例如移位电阻器电路、电平转移电路、缓冲电路以及采样电路，可以制造在相同的基片上。为了降低成本和提高质量的目的，在有源矩阵型液晶显示器件中使用具有像素和形成在相同的基片上用于驱动像素的驱动电路的有源矩阵基片。 

在如上的有源矩阵基片中，为了向驱动电路提供电源和输入信号，在有源矩阵基片上形成连接到驱动电路的连接布线。采用安装有连接布线和FPC(柔性印刷电路)的结构。各向异性导电膜用于连接基片上的连接布线和FPC。图30示出了通过各向异性导电膜连接到FPC的连接布线的剖面结构。 

如图30所示，在有源矩阵基片中，在位于玻璃基片1表面上的绝缘膜2上形成连接布线3。FPC4包括由如聚酰亚胺等柔性材料制成的基片5，由铜等构成的多个布线6形成其上。在各向异性导电膜7中，导电隔离物8分散到由热或光固化的粘合剂9(树脂)内。连接布线3通过导电隔离物8电连接到FPC4上的布线6。 

连接布线3是由如铝和钛等的金属膜3a以及如ITO膜等的透明导电膜3b组成的两个多层结构。由于透明导电膜3b使用了如铝等的金属膜，因而可以降低它的布线电阻。因此，担心受导电隔离物(spacer)8按压造成金属膜3a变形。透明导电膜3b由如铟和锡等的金属氧化物制成，由此它的硬度高于金属膜3a。因此，透明导电膜3b形成在金属膜的表面上，防止导电膜3a受到损伤或变形。 

但是，金属膜3a的侧面处于未覆盖状态，暴露在空气中直到形成各向异性导电膜7。金属膜3a的侧面处于容易受到腐蚀和氧化的 状态，造成连接布线3和FPC4的连接可靠性降低。此外，在安装FPC4的状态中，金属膜3a的侧面接触树脂，产生防潮的问题。 

本发明是为解决以上提到的问题的，因此本发明的一个目的是在FPC和连接布线之间实现高可靠性连接，以提供适合于大规模生产的连接布线。 

发明内容

为了解决以上问题，根据本发明的一个方案，提供一种接触结构，通过各向异性导电膜将基片上的连接布线连接到其它基片上的布线，特征在于引线为由金属膜和透明导电膜形成的叠层膜，在各向异性导电膜的连接部分中，金属膜的侧面由保护膜覆盖。 

此外，根据本发明的另一方案，提供一种在基片上的半导体器件，具有由薄膜晶体管构成的电路，以及将由薄膜晶体管构成的电路连接到其它电路的连接布线，特征在于连接布线为金属膜和透明导电膜的叠层膜，在与其它电路的连接部分中，金属膜的侧面由保护膜覆盖。