[发明专利]消除错误缺陷检测方法与系统有效
申请号: | 201110234991.6 | 申请日: | 2011-08-11 |
公开(公告)号: | CN102637614A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 王淼鑫;赖建宏;涂志强;张宗裕;刘光育 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/88 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李琳;张龙哺 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 消除 错误 缺陷 检测 方法 系统 | ||
1.一种消除错误缺陷检测方法,用以检查一制造产品,包括:
一第一测试单元将一第一测试制范应用在上述制造产品中,用以鉴别产品缺陷,其中上述第一测试制范产生缺陷候选者的一第一集合;
一第二测试单元将一第二测试制范应用在上述制造产品中,用以鉴别产品缺陷,其中上述第二测试制范产生上述缺陷候选者的一第二集合,并且上述第二测试制范不同于上述第一测试制范;以及
借由一错误缺陷检测单元消除上述缺陷候选者的上述第一集合中未被上述缺陷候选者的上述第二集合鉴别为缺陷的部分,以便产生一第一已过滤缺陷集合。
2.如权利要求1所述的消除错误缺陷检测方法,其中上述第一测试制范包括一临界大小测试和一像素差测试中的至少之一。
3.如权利要求1所述的消除错误缺陷检测方法,还包括:
一第三测试单元将一第三测试制范应用在上述制造产品中,用以鉴别产品缺陷,其中上述第三测试制范产生上述缺陷候选者的一第三集合;以及
借由所述错误缺陷检测单元消除上述第一已过滤缺陷集合中未被上述缺陷候选者的上述第三集合鉴别为缺陷的部分,对上述第一已过滤缺陷集合进行过滤。
4.如权利要求1所述的消除错误缺陷检测方法,还包括:
产生上述第一已过滤缺陷集合之后,所述错误缺陷检测单元检查上述第一已过滤缺陷集合的一剩余缺陷,用以排除错误缺陷并留下上述剩余缺陷的部分;以及
由一修复装置修复上述剩余缺陷的部分,其中上述剩余缺陷的部分为真实缺陷。
5.如权利要求1所述的消除错误缺陷检测方法,其中在由所述第二测试单元执行上述第二测试制范之前由所述第一测试单元执行上述第一测试制范,并且使用下列方法中之一:
在上述第一测试制范中,以穿透光成像缺陷的灵敏度高于以反射光成像缺陷的灵敏度;以及
在上述第一测试制范中,以反射光成像缺陷的灵敏度高于以穿透光成像缺陷的灵敏度。
6.如权利要求1所述的消除错误缺陷检测方法,其中上述第一测试制范和上述第二测试制范均使用同样的一模式,上述模式从下列选出:
一穿透光模式;
一反射光模式;以及
一虚拟模式,其中上述第一测试制范和上述第二测试制范具有不同灵敏度设定。
7.一种消除错误缺陷检测系统,用以检查至少一制造产品的缺陷,包括:
一第一测试单元,用以执行一第一测试制范,以便检查上述制造产品的缺陷;
一第二测试单元,用以执行一第二测试制范,以便检查上述制造产品的缺陷,其中上述第一测试制范不同于上述第二测试制范;以及
一错误缺陷检测单元,用以从上述第一测试单元和上述第二测试单元接收测试结果,并且消除没被上述第一测试单元和上述第二测试单元所鉴别的缺陷。
8.如权利要求7所述的消除错误缺陷检测系统,还包括一第三测试单元,用以执行一第三测试制范,以便检查上述制造产品的缺陷,其中上述第三测试制范不同于上述第一测试制范和上述第二测试制范。
9.如权利要求8所述的消除错误缺陷检测系统,其中上述错误缺陷检测单元消除未被上述第三测试制范所鉴别的缺陷。
10.如权利要求8所述的消除错误缺陷检测系统,其中上述制造产品包括一光掩模,并且上述第一测试制范和上述第二测试制范均包括借由上述光掩模和可见光所执行的一反射光模式和一穿透光模式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造