[发明专利]显示装置、液晶面板、阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

通过第一次构图工艺在基板上形成栅线和栅电极的图形；形成栅绝缘层，并通过第二次构图工艺形成半导体层的图形；

通过第三次构图工艺形成源电极、漏电极和数据线的图形，其中，源电极和漏电极之间的半导体层上形成有沟道，源电极和漏电极上保留有光刻胶；

沉积钝化层，在钝化层上涂覆一层光刻胶，对该层光刻胶进行灰化处理，暴露除沟道区域之外的钝化层，去除暴露的钝化层，并去除剩余的光刻胶；以及，

通过第四次构图工艺形成像素电极的图形。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通过第一次构图工艺在基板上形成栅线和栅电极的图形，包括：

在基板上沉积栅金属薄膜；

在栅金属薄膜上涂覆光刻胶；

采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅线和栅电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；

进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；

去除掉光刻胶未保留区域的栅金属薄膜，形成栅线和栅电极的图形；

去除剩余的光刻胶。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通过第二次构图工艺形成半导体层的图形，包括：

在栅绝缘层上沉积有源层，

在有源层上涂覆光刻胶；

采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于半导体层的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；

进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；

去除掉光刻胶未保留区域的有源层，形成半导体层的图形；

去除剩余的光刻胶。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通过第三次构图工艺形成源电极、漏电极和数据线的图形，包括：

在源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶；

采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于源电极、漏电极和数据线的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；

进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；

去除掉光刻胶未保留区域的源漏金属薄膜和有源层，形成源电极、漏电极和数据线的图形。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述通过第四次构图工艺形成像素电极的图形，包括：

在透明导电薄膜上涂覆一层光刻胶；

采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶保留区域和光刻胶未保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于像素电极的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；

进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；

去除掉光刻胶未保留区域的透明导电薄膜，形成像素电极的图形，像素电极与漏电极直接电性连接；

去除剩余的光刻胶。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括：

设置在基板上的栅线和栅电极；

设置在栅电极上的栅绝缘层和有源层，并在有源层上设置有沟道，其中，栅电极和有源层通过栅绝缘层隔离；

设置在有源层上的源电极和漏电极，其中，像素电极与漏电极直接电性连接；

设置在沟道上的钝化层。

7.一种液晶面板，其特征在于，包括如权利要求6所述的阵列基板。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的液晶面板。