[发明专利]有效减少通孔刻蚀停止层应变工艺对PMOS影响的方法有效
| 申请号： | 201110235242.5 | 申请日： | 2011-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102437121A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 曹永峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有效 减少 刻蚀 停止 应变 工艺 pmos 影响 方法 | ||
1.一种有效减少通孔刻蚀停止层应变工艺对PMOS影响的方法，在一硅基板上形成一第一晶体管和一第二晶体管，其特征在于，包括以下步骤：
步骤a：在硅基板上生长一刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层将第一晶体管、第二晶体管同时覆盖，且刻蚀阻挡层向第一晶体管、第二晶体管提供张应力；
步骤b：在衬底上旋涂光刻胶，将刻蚀阻挡层完全覆盖；
步骤c：光刻去除覆盖在第二晶体管上的光刻胶；
步骤d：对第二晶体管上覆盖的刻蚀阻挡层进行处理，将该部分刻蚀阻挡层固有的晶体结构破坏，以减小该部分刻蚀阻挡层对第二晶体管所提供的张应力；
步骤e：将光刻胶移除。
2.根据权利要求1所述的有效减少通孔刻蚀停止层应变工艺对PMOS影响的方法，其特征在于，刻蚀阻挡层为氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的有效减少通孔刻蚀停止层应变工艺对PMOS影响的方法，其特征在于，第一晶体管为NMOS器件，第二晶体管为PMOS器件。
4.根据权利要求1所述的有效减少通孔刻蚀停止层应变工艺对PMOS影响的方法，其特征在于，步骤d中对第二晶体管上覆盖的刻蚀阻挡层进行紫外处理。
5.根据权利要求1所述的有效减少通孔刻蚀停止层应变工艺对PMOS影响的方法，其特征在于，步骤d中对第二晶体管上覆盖的刻蚀阻挡层进行重粒子注入。
6.根据权利要求5所述的有效减少通孔刻蚀停止层应变工艺对PMOS影响的方法，其特征在于，步骤d中重粒子注入工艺采用Sn、Kr。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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