[发明专利]零待机功耗开关机电路

权利要求书

1.一种零待机功耗开关机电路，其特征在于, 包括通断状态锁止电路、待机按键和状态反转电路, 所述通断状态锁止电路的输出端耦合到所述状态反转电路的输入端，所述待机按键设置于所述状态反转电路的输出端和所述通断状态锁止电路的触发控制端之间，且仅在受到按击时接通所述状态反转电路和所述通断状态锁止电路，所述通断状态锁止电路在开通状态下将电源电压输出至负载，在关断状态下断开电源电压与负载的连接，对于处于关断状态的所述通断状态锁止电路，所述状态反转电路在所述待机按键接通瞬间输出开通电平信号，并延迟到一次按击结束后产生关断电平信号，所述通断状态锁止电路由所述开通电平信号触发进入开通状态并锁止成稳态，对于处于开通状态的所述通断状态锁止电路，所述状态反转电路在所述待机按键接通瞬间输出关断电平信号，并延迟到一次按击结束后产生开通电平信号，所述通断状态锁止电路由所述关断电平信号触发进入关断状态并锁止成稳态。

2.如权利要求1所述的零待机功耗开关机电路，其特征在于, 所述通断状态锁止电路包括第一NPN三极管和第一PNP三极管，所述状态反转电路包括第二NPN三极管、第一二极管和第一电容，所述第一NPN三极管的基极耦合到所述待机按键的第一接入点和所述第一PNP三极管的集电极，所述第一NPN三极管的发射极耦合到电源负端或地，所述第一NPN三极管的集电极耦合到所述第一PNP三极管的基极，电源正端耦合到所述第一PNP三极管的发射极和所述第一NPN三极管的集电极，所述第一PNP三极管的集电极作为所述通断状态锁止电路的输出端，所述第一PNP三极管的集电极耦合到所述第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极耦合到所述第二NPN三极管的基极，所述第一二极管的阴极和所述第二NPN三极管的基极之间的节点通过所述第一电容与电阻并联耦合到电源负端或地，所述第二NPN三极管的发射极耦合到电源负端或地，所述第二NPN三极管的集电极耦合到电源正端和所述待机按键的第二接入点。

3.如权利要求1所述的零待机功耗开关机电路，其特征在于, 所述通断状态锁止电路包括第一PNP三极管和第一NPN三极管，所述状态反转电路包括第二PNP三极管、第一二极管和第一电容，所述第一PNP三极管的基极耦合到所述待机按键的第一接入点和所述第一NPN三极管的集电极，所述第一PNP三极管的发射极耦合到电源正端，所述第一PNP三极管的集电极耦合到所述第一NPN三极管的基极，电源负端或地耦合到所述第一NPN三极管的发射极和所述第一PNP三极管的集电极，所述第一NPN三极管的集电极作为所述通断状态锁止电路的输出端，所述第一NPN三极管的集电极耦合到所述第一二极管的阴极，所述第一二极管的阳极耦合到所述第二PNP三极管的基极，所述第一二极管的阳极和所述第二PNP三极管的基极之间的节点通过所述第一电容与电阻并联耦合到电源正端，所述第二PNP三极管的发射极耦合到电源正端，所述第二PNP三极管的集电极耦合到电源负端或地以及所述待机按键的第二接入点。

4.如权利要求1所述的零待机功耗开关机电路，其特征在于, 所述通断状态锁止电路包括第一N沟道MOS管和第一P沟道MOS管，所述状态反转电路包括第二N沟道MOS管、第一二极管和第一电容，所述第一N沟道MOS管的基极耦合到所述待机按键的第一接入点和所述第一P沟道MOS管的集电极，所述第一N沟道MOS管的发射极耦合到电源负端或地，所述第一N沟道MOS管的集电极耦合到所述第一P沟道MOS管的基极，电源正端耦合到所述第一P沟道MOS管的发射极和所述第一N沟道MOS管的集电极，所述第一P沟道MOS管的集电极作为所述通断状态锁止电路的输出端，所述第一P沟道MOS管的集电极耦合到所述第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极耦合到所述第二N沟道MOS管的基极，所述第一二极管的阴极和所述第二N沟道MOS管的基极之间的节点通过所述第一电容与电阻并联耦合到电源负端或地，所述第二N沟道MOS管的发射极耦合到电源负端或地，所述第二N沟道MOS管的集电极耦合到电源正端和所述待机按键的第二接入点。