[发明专利]零待机功耗开关机电路

说明书

技术领域

本发明涉及电池供电的设备，尤其是一种零待机功耗开关机电路。

背景技术

在常见的家电、设备的待机按键通常是使用MCU（微控制单元）进行处理，为了达到低功耗的要求，大多会让MCU进入睡眠或者停止模式，在这些模式下，MCU仍然会消耗几十uA的电流，这个数值的电流仍会加据电路功耗，尤其是电池供电系统的功耗。

如果要求达到零功耗，则通常只能通过在供电回路中串接电源开关，通过电源开关导通或断开回路来实现，但在很多应用中，这类开关的尺寸、寿命、功能要求及使用方式等都受到诸多限制。

发明内容

本发明的主要目的就是针对现有技术的不足，提供一种开关机电路，既不需要使用传统的用以导通或断开回路的电源开关，消除了开关的限制，也不需要使用MCU进行控制从而达到零待机功耗。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种零待机功耗开关机电路，包括通断状态锁止电路、待机按键和状态反转电路, 所述通断状态锁止电路的输出端耦合到所述状态反转电路的输入端，所述待机按键设置于所述状态反转电路的输出端和所述通断状态锁止电路的触发控制端之间，且仅在受到按击时接通所述状态反转电路和所述通断状态锁止电路，所述通断状态锁止电路在开通状态下将电源电压输出至负载，在关断状态下断开电源电压与负载的连接，对于处于关断状态的所述通断状态锁止电路，所述状态反转电路在所述待机按键接通瞬间输出开通电平信号，并延迟到一次按击结束后产生关断电平信号，所述通断状态锁止电路由所述开通电平信号触发进入开通状态并锁止成稳态，对于处于开通状态的所述通断状态锁止电路，所述状态反转电路在所述待机按键接通瞬间输出关断电平信号，并延迟到一次按击结束后产生开通电平信号，所述通断状态锁止电路由所述关断电平信号触发进入关断状态并锁止成稳态。

优选地，所述通断状态锁止电路包括第一NPN三极管和第一PNP三极管，所述状态反转电路包括第二NPN三极管、第一二极管和第一电容，所述第一NPN三极管的基极耦合到所述待机按键的第一接入点和所述第一PNP三极管的集电极，所述第一NPN三极管的发射极耦合到电源负端或地，所述第一NPN三极管的集电极耦合到所述第一PNP三极管的基极，电源正端耦合到所述第一PNP三极管的发射极和所述第一NPN三极管的集电极，所述第一PNP三极管的集电极作为所述通断状态锁止电路的输出端，所述第一PNP三极管的集电极耦合到所述第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极耦合到所述第二NPN三极管的基极，所述第一二极管的阴极和所述第二NPN三极管的基极之间的节点通过所述第一电容与电阻并联耦合到电源负端或地，所述第二NPN三极管的发射极耦合到电源负端或地，所述第二NPN三极管的集电极耦合到电源正端和所述待机按键的第二接入点。

优选地，所述通断状态锁止电路包括第一PNP三极管和第一NPN三极管，所述状态反转电路包括第二PNP三极管、第一二极管和第一电容，所述第一PNP三极管的基极耦合到所述待机按键的第一接入点和所述第一NPN三极管的集电极，所述第一PNP三极管的发射极耦合到电源正端，所述第一PNP三极管的集电极耦合到所述第一NPN三极管的基极，电源负端或地耦合到所述第一NPN三极管的发射极和所述第一PNP三极管的集电极，所述第一NPN三极管的集电极作为所述通断状态锁止电路的输出端，所述第一NPN三极管的集电极耦合到所述第一二极管的阴极，所述第一二极管的阳极耦合到所述第二PNP三极管的基极，所述第一二极管的阳极和所述第二PNP三极管的基极之间的节点通过所述第一电容与电阻并联耦合到电源正端，所述第二PNP三极管的发射极耦合到电源正端，所述第二PNP三极管的集电极耦合到电源负端或地和所述待机按键的第二接入点。