[发明专利]深沟槽的硅外延填充方法

权利要求书

1.一种深沟槽的硅外延填充方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在硅衬底上生长一层N型外延层；

2)在该N型外延层上生长一层介质膜；

3)以该介质膜为掩模，在该N型外延层上刻蚀出沟槽；

4)进行硅外延生长，用P型硅外延填充沟槽；

5)对硅片表面进行平坦化；

6)重复一次步骤4)和5)，进行第二次硅外延生长和硅片表面的平坦化。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中，所述介质膜为氧化硅或氮化硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)中，所述沟槽的宽度为0.2～10.0μm，深度为0.8～100.0μm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)中，采用硅源气体、卤化物和掺杂气体的混合气体进行硅外延生长。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5)中，采用化学机械研磨方法对硅片表面进行平坦化。