[发明专利]一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法

权利要求书

1.一种超薄玻璃基板上制备导电膜的方法，采用磁控溅射法，其特征在于，设定初始磁控溅射功率和/或初始氩气流量进行导电膜的沉积，通过设置在所述超薄玻璃基板上的压力传感器检测所述导电膜的膜层应力，根据检测到的所述膜层应力实时调整磁控溅射功率和/或氩气流量，使得所述膜层应力保持在不使所述超薄玻璃基板发生形变的范围内；其中，所述超薄玻璃基板的厚度小于等于0.1mm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超薄玻璃基板的厚度为0.01～0.1mm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述初始磁控溅射功率为在普通玻璃基板上制备导电膜时磁控溅射功率的120～150％，所述初始氩气流量为在普通玻璃基板上制备导电膜时氩气流量的50～90％；所述普通玻璃基板的厚度为0.5～1.1mm。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述初始磁控溅射功率为在普通玻璃基板上制备导电膜时磁控溅射功率的125～130％，所述初始氩气流量为在普通玻璃基板上制备导电膜时氩气流量的70～80％。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述压力传感器检测到的膜层应力，按照公式S_M＝A+B·P+C·F_Ar+DP·F_Ar来实时调整磁控溅射功率和/或氩气流量；其中，S_M为膜层应力，单位MPa，P为磁控溅射功率，单位kw，F_Ar为氩气流量，单位为sccm，A、B、C、D为经验系数。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压力传感器设置于超薄玻璃基板的下表面。

7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述磁控溅射真空室的腔体压强小于0.36Pa。

8.一种LCD基板，包括超薄玻璃基板，其特征在于，所述玻璃基板上导电膜的至少一种采用权利要求1-7之一所述的方法制备。

9.根据权利要求8所述的LCD基板，其特征在于，所述导电膜为栅线、栅电极、源漏电极、数据线或像素电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述导电膜为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW、Cr或ITO单层膜，或AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr任意组合构成的复合膜。

11.一种液晶面板，其特征在于，所述液晶面板包括权利要求8-10任一项所述的LCD基板。

12.一种液晶显示器件，其特征在于，所述液晶显示器件包括权利要求11所述的液晶面板。