[发明专利]一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110240380.2 申请日: 2011-08-19
公开(公告)号: CN102953037A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 周伟峰;薛建设 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C03C17/09;C03C17/245
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王朋飞;王加岭
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 超薄 玻璃 基板上 导电 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示设备领域,具体涉及超薄玻璃基板上导电膜的制备方法,以及LCD基板、液晶面板及液晶显示器件。

背景技术

平板显示技术在近十年有了飞速地发展,从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。经过不断的努力,LCD各方面的性能已经达到了传统CRT的水平,大有取代CRT的趋势。随着平板显示产品生产的不断扩大,各个生产厂商之间的竞争也日趋激烈。各厂家在不断提高产品性能的同时,也在不断努力降低产品的生产成本,从而提高市场的竞争力。

柔性显示器件凭借其能够弯曲的特性可以胜任很多需要曲面显示的领域,如智能卡、电子纸、智能标签、以及传统显示器件所能适用的所有领域。并将在未来的显示产品市场中凭借其梦幻般的靓丽外观占领巨大的市场份额。目前主要的柔性显示是基于有机材料基板上制备的显示器件,如在聚酰亚胺薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜等有机薄膜及其复合薄膜上制备的胆甾相液晶显示器、电泳式显示器、有机电致发光显示器等。

在柔性基板上制备显示元件,必须使制备的膜层具有较低的应力,这样才能使制备的器件具有柔韧性。传统的制造显示元件的设备往往需要基板在制备过程中保持平整,但是由于传统的磁控溅射膜层的应力较大,往往会使柔性基板在沉积完成后发生翘曲变形,如图1所示,严重影响后续加工的继续进行,对于玻璃基板来说甚至会使基板破裂。

玻璃具有比有机材料优秀很多的透过率、化学稳定性、阻水、介电特性,目前常用玻璃基板的玻璃厚度为0.5-1.1mm,最薄也在0.2mm以上。超薄玻璃基板尤其是0.1mm及以下的玻璃基板不仅拥有上述性能,也具有良好的柔韧性,是柔性显示基板理想的材料,但由于传统膜层制备过程中往往产生较大的应力,加之玻璃基板本身的脆性,致使超薄玻璃的应用受到了很大的制约。

发明内容

为克服现有技术中玻璃基板制备的膜层应力高、易发生变形甚至破裂等缺陷,本发明的目的是提供一种超薄玻璃基板上导电膜的制备方法。

所述制备方法采用磁控溅射法,设定初始磁控溅射功率和/或初始氩气流量进行导电膜的沉积,通过设置在所述超薄玻璃基板上的压力传感器检测所述导电膜的膜层应力,根据检测到的所述膜层应力实时调整磁控溅射功率和/或氩气流量,使得所述膜层应力保持在不使所述超薄玻璃基板发生形变的范围内;其中,所述超薄玻璃基板的厚度小于等于0.1mm。

所述超薄玻璃基板的厚度优选为0.01~0.1mm。

所述初始磁控溅射功率为在普通玻璃基板上制备导电膜时磁控溅射功率的120~150%,所述初始氩气流量为在普通玻璃基板上制备导电膜时氩气流量的50~90%;所述普通玻璃基板厚度为0.5~1.1mm。

优选地,所述初始磁控溅射功率为在普通玻璃基板上制备导电膜时磁控溅射功率的125~130%,所述初始氩气流量为在普通玻璃基板上制备导电膜时氩气流量的70~80%。

本发明所述制备方法中根据所述压力传感器检测到的膜层应力,按照公式SM=A+B·P+C·FAr+DP·FAr来实时调整磁控溅射功率和/或氩气流量;其中,SM为膜层应力,单位MPa,P为磁控溅射功率,单位kw,FAr为氩气流量,单位为sccm,A、B、C、D为经验系数。上述公式根据磁控溅射腔体的大小,A、B、C、D的值相应成一定比例关系进行调整。

所述压力传感器设置于超薄玻璃基板的下表面,超薄玻璃基板与用于托衬的衬底物之间。

本发明所述的技术方案在超薄玻璃基板的底部、与衬底物之间设置压力传感器,如图2所示。按照上述所设定的氩气流量和磁控溅射功率初始值进行导电膜的沉积,当导电膜层应力增大时,会通过胡克定律使得玻璃基板发生形变,从而使得压力传感器上检测到的应力发生变化,再由控制系统将传感器检测发出的电信号参照上述公式进行换算,继而调整磁控溅射功率和氩气流量,调节效果时时由压力传感器得出,并时时按照这个循环进行调节,如图3所示,最终得出不会使得超薄玻璃基板发生形变的膜层。

上述任一项技术方案中所述的磁控溅射真空室的腔体压强小于0.36Pa。

另外,本发明提供了一种LCD基板,包括超薄玻璃基板,所述基板上导电膜的至少一种采用上述的导电膜制备方法制备。

所述导电膜可以为栅线、栅电极、源漏电极、数据线或像素电极。进一步优选为AlNd、Al、Cu、Mo、MoW、Cr或ITO单层膜,或AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr任意组合构成的复合膜。

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