[发明专利]发光装置和发光装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110240592.0 申请日: 2011-08-19
公开(公告)号: CN102386308A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 吉住伸之;山口真司 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L25/075;H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张远
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光装置,是具有至少1个发光元件和覆盖该发光元件的第1密封树脂的发光部在基板的上面搭载有至少1个的发光装置,其特征在于,

具备在所述基板和所述发光部之间存在的氧化硅系绝缘膜,

所述氧化硅系绝缘膜直接形成于所述基板的上面的、至少搭载有所述发光部的区域,

所述第1密封树脂按照将所述发光元件覆盖的方式直接形成于所述氧化硅系绝缘膜的上面。

2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,

所述氧化硅系绝缘膜形成于所述基板的上面的整个区域。

3.一种发光装置,是具有至少1个发光元件和覆盖该发光元件的第1密封树脂的发光部在基板的上面搭载有至少1个的发光装置,其特征在于,

具备在所述基板和所述发光部之间存在的氧化铝系绝缘膜和氧化硅系绝缘膜,

所述氧化铝系绝缘膜直接形成在所述基板的上面的全部区域,

所述氧化硅系绝缘膜在所述氧化铝系绝缘膜的上面的、至少搭载有所述发光部的区域直接形成,

所述第1密封树脂按照将所述发光元件覆盖的方式直接形成于所述氧化硅系绝缘膜的上面。

4.如权利要求3所述的发光装置,其特征在于,

所述氧化硅系绝缘膜形成在所述氧化铝系绝缘膜的上面的全部区域。

5.如权利要求1~4中任一项所述的发光装置,其特征在于,

所述氧化硅系绝缘膜为硅氧化膜。

6.如权利要求1~4中任一项所述的发光装置,其特征在于,

所述发光部还具备按照将所述第1密封树脂覆盖的方式在所述氧化硅系绝缘膜的上面直接形成的第2密封树脂。

7.如权利要求1~4中任一项所述的发光装置,其特征在于,

所述第1密封树脂中含有荧光体,

所述荧光体在所述基板侧沉降。

8.如权利要求6所述的发光装置,其特征在于,

所述第1密封树脂中含有荧光体,

所述荧光体在所述基板侧沉降,

所述第2密封树脂中不含荧光体。

9.一种发光装置的制造方法,是具有至少1个发光元件和覆盖该发光元件的第1密封树脂的发光部在基板的上面搭载有至少1个的发光装置的制造方法,其特征在于,包括:

对于上面形成了配线图案的基板,在该上面的至少搭载有所述发光部的区域直接形成氧化硅系绝缘膜的工序;

按照将所述氧化硅系绝缘膜覆盖的方式在所述基板的上面形成防水膜的工序;

在所述防水膜,形成用于使在搭载所述发光部的区域形成的氧化硅系绝缘膜露出的开口部的工序;

在所述开口部的氧化硅系绝缘膜上搭载所述发光元件的工序;和

按照将所述发光元件覆盖的方式将液体树脂注入所述开口部,使该液体树脂固化,从而形成所述第1密封树脂的工序。

10.一种发光装置的制造方法,是具有至少1个发光元件和覆盖该发光元件的第1密封树脂的发光部在基板的上面搭载有至少1个的发光装置的制造方法,其特征在于,包括:

对于上面形成了配线图案的基板,在该上面的全部区域直接形成氧化铝系绝缘膜的工序;

在所述氧化铝系绝缘膜的上面的、至少搭载有所述发光部的区域直接形成氧化硅系绝缘膜的工序;

按照将所述氧化硅系绝缘膜覆盖的方式在所述氧化铝系绝缘膜的上面形成防水膜的工序;

在所述防水膜,形成用于使在搭载所述发光部的区域形成的氧化硅系绝缘膜露出的开口部的工序;

在所述开口部的氧化硅系绝缘膜上搭载所述发光元件的工序;和

按照将所述发光元件覆盖的方式将液体树脂注入所述开口部,使该液体树脂固化,从而形成所述第1密封树脂的工序。

11.如权利要求9或10所述的发光装置的制造方法,其特征在于,还包括:

在形成所述第1密封树脂后将所述防水膜除去的工序;和

按照将所述第1密封树脂覆盖的方式在所述氧化硅系绝缘膜的上面直接形成第2密封树脂的工序。

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