[发明专利]一种用于集成电路制造的场区隔离方法

权利要求书

1.一种用于集成电路制造的场区隔离方法，其步骤包括：

1)在半导体衬底上定义出有源区和场区；

2)利用注入掩膜在场区进行离子注入，注入离子包括硅离子及其配对离子；

3)去除注入掩膜；

4)热退火获得场区隔离结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底是锗、硅、硅锗合金、砷化镓、铟镓砷中的一种。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述注入掩膜是光刻胶、氧化硅、氮化硅、金属薄膜或上述薄膜的任何可能的组合掩膜，掩膜厚度范围为10nm～10μm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅离子的配对离子是O⁺、O₂⁺、HO⁺、H₂O⁺、N⁺或N₂⁺中的一种。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述场区离子注入的能量范围为20KeV～200KeV，注入剂量范围为10¹²/cm²～10¹⁹/cm²。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热退火的退火气氛是氩气、氮气，或是掺有氧气的氩气或氮气，退火温度范围为300℃～1200℃。