[发明专利]一种可见光全光谱高反射率LED封装结构无效
申请号: | 201110241295.8 | 申请日: | 2011-08-20 |
公开(公告)号: | CN102544336A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 曹永革;刘著光;邓种华;王充;兰海;王方宇;王文超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L33/48;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可见光 光谱 反射率 led 封装 结构 | ||
1.一种可见光全光谱高反射率的LED封装结构,包括:一镀有非金属或金属化合物或有机物的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层的封装基座,或本身为可见光全光谱高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成的封装基座;在封装基座上形成有电极;蓝光LED芯片,芯片采用固晶方式固定于封装基座的高反射面之上;以及密封物,密封物覆盖所述LED芯片与所述基座,以保护所述LED芯片与高反射率薄膜。
2.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:镀有薄膜或涂层的封装基座,其薄膜或涂层镀于基座上用于固晶的一面;封装基座本身为可见光全光谱高反射率的材料制成的,其用于固晶的一面在可见光波段具有高反射率。
3.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:可见光全光谱的波长范围为400nm至760nm,非金属或金属化合物高反射率材料在可见光波段的反射率均高于85%。
4.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述的非金属或金属化合物或有机物可见光全光谱高反射薄膜或涂层位于所述LED芯片所处平面的下方并与其紧贴且平行。
5.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:封装基座本身为可见光全光谱高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成的,其用于固晶的一面在可见光波段的反射率均高于85%,并与LED芯片所处平面紧贴且平行。
6.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述的可见光全光谱高反射既可以是具有镜面反射的抛光面,也可以是具有散射的非抛光表面。
7.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述镀有可见光全光谱高反射率薄膜或涂层的封装基座包括在其上形成有电极的印刷电路板、金属、非金属、金属化合物或有机物基座。
8.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于:所述密封物由在其内混合并均匀分散荧光体的透明环氧树脂胶或硅胶成型制成。
9.根据权利要求4所述的LED封装结构,其特征在于:对于镜面反射的可见光全光谱高反射薄膜是沉积选自于SiO2、TiO2、MgF、Al2O3、Ta2O5、ZrO2和Hf2O5组成的组中的布拉格反射镜薄膜,或是选自于由SiO2、ZrO2、TiO2组成的组中的二维光子晶体材料,但不仅限于这些材料。
10.根据权利要求4所述的LED封装结构,其特征在于:对于散射的非抛光表面的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层是沉积或喷涂选自于高纯氧化铝、氧化镁、氧化钛、氧化钡、磷酸钙、磷酸钡、硫酸钡、硅酸钙组成的组中的薄膜,但不仅限于这些材料。
11.根据权利要求5所述的LED封装结构,其特征在于:用于制备高反射率基座的材料可以选自于高纯氧化铝、氧化镁、氧化钛、氧化钡、磷酸钙、磷酸钡、硫酸钡、硅酸钙组成的组中的材料,但不仅限于这些材料。
12.用于权利要求1-11其中任一LED封装结构的封装基座。
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