[发明专利]一种可见光全光谱高反射率LED封装结构

说明书

技术领域

    本发明涉及一种新型的LED封装结构，尤其涉及到一种提高LED光效与显示指数，降低光衰的封装基座。    

背景技术

LED作为一种新型光源，由于具有节能、环保、寿命长、启动速度快、能控制发光光谱和禁止带幅的大小使色彩度更高等传统光源无可比拟的优势而得到了空前的发展。

一般而言，传统的白光LED封装结构，如图1，主要设有一具凹槽A1的基座A，该凹槽A1内结合一芯片B，该芯片B再通过一连结线C与另一支架D连结，最后再通过一透光层E的射出成型，将基座A、芯片B、连结线C及另一支架D结合为一体，完成LED的封装。

但普通LED的发光是各向的，同时所激发的荧光粉发出的光也是各向的。而上述传统的LED结构使射向LED芯片背面与侧面的光的提取效率较低，这部分光通过在密封物中的多次反射和折射而最终转化为热量。这样不但降低了LED的光效，而且还使得热量无法及时导出而聚集在芯片的背面。从而造成芯片的温度逐渐升高，以致影响LED芯片的光输出和寿命。

目前的改进方法是在基座A的凹槽A1内镀上高反射率的金属Ag薄膜，使基座的反射率大幅提高。但这又带来一个问题，金属Ag薄膜在点亮的LED芯片的高温下容易发黄变色，从而降低了蓝光波段的反射率，降低了封装LED的光效与显色指数，加快了LED的光衰。

基于现有普通LED封装结构以及其改进方法的不足，本发明设计了“非金属反射膜系可见光全光谱高反射基板固晶的LED封装方案”。

发明内容

   本发明旨在解决现有技术的前述问题，因此本发明的一个目的是提供一种在全可见光光谱内稳定耐用的高反射率基座及LED封装结构。以提高白光LED的出光效率，同时增强白光LED显色指数与光通量的稳定性。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的：

本发明提供了一种可见光全光谱高反射率的LED封装结构，包括：一镀有非金属或金属化合物或有机物的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层的封装基座，或本身为可见光全光谱高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成的封装基座；在封装基座上形成有电极；蓝光LED芯片，芯片采用固晶方式固定于封装基座的高反射面之上；以及密封物，密封物覆盖所述LED芯片与所述基座，以保护所述LED芯片与高反射率薄膜。

镀有薄膜或涂层的封装基座，其薄膜或涂层镀于基座上用于固晶的一面；封装基座本身为可见光全光谱高反射率的材料制成的，其用于固晶的一面在可见光波段具有高反射率。

本发明提供的LED封装结构如图2所示，其包括镀有可见光全光谱高反射非金属或金属化合物或有机物薄膜或涂层102的封装基座10或封装基座10本身为可见光全光谱高反射率的非金属或金属化合物或有机物材料制成，对于镀有薄膜或涂层的封装基座10用于固晶的一面101镀有可见光全光谱高反射薄膜或涂层102，对于封装基座10本身为可见光全光谱高反射率的材料制成的，其用于固晶的一面在可见光波段的平均反射率高于85%；同时其上形成有两电极501与502；蓝光LED芯片20，芯片采用固晶方式固定于封装基座的高反射面102之上；以及密封物40，密封物覆盖所述LED芯片20与所述高反射薄膜102，以保护所述LED芯片与高反射率薄膜。

所述的对于镀有可见光全光谱高反射薄膜或涂层的封装基座，其薄膜或涂层位于所述LED芯片所处平面的下方并与其紧贴且平行，薄膜或涂层在可见光全光谱的反射率均高于85%。

所述的对于封装基座本身为可见光全光谱高反射率的非金属材料制成的，其用于固晶的一面与LED芯片所处平面平行且可见光全光谱反射率均高于85%。

所述的可见光全光谱高反射既可以是具有镜面反射的抛光面，也可以是具有散射的非抛光表面。对于镜面反射的可见光全光谱高反射薄膜可以是沉积选自于SiO2、TiO2、MgF、Al2O3、Ta2O5、ZrO2和Hf2O5组成的组中的布拉格反射镜薄膜，也可以是选自于由SiO2、ZrO2、TiO2组成的组中的二维光子晶体材料。对于散射的非抛光表面的可见光全光谱高反射率薄膜或涂层或基座可以是选自于高纯氧化铝、氧化镁、氧化钛、氧化钡、磷酸钙、磷酸钡、硫酸钡、硅酸钙组成的组中的材料，但不仅限于上述材料。

所述对于镀有可见光全光谱高反射非金属薄膜或涂层的封装基座包括在其上形成有电极的印刷电路板、金属、非金属、金属化合物或有机物基座。

所述密封物由在其内混合并均匀分散荧光体的透明环氧树脂胶或硅胶成型制成。