[发明专利]嵌入传送栅

权利要求书

1.一种图像传感器像素，其包含：

半导体层；

感光区，其安置于所述半导体层内以累积光生电荷；

浮动节点，其安置于所述半导体层内；

沟槽，其延伸至所述半导体层中、介于所述感光区与所述浮动节点之间；以及

嵌入传送栅，其安置于所述沟槽内以控制所述光生电荷自所述感光区至所述浮动节点的传送。

2.如权利要求1所述的图像传感器像素，其特征在于，所述嵌入传送栅包含：

底部部分，其安置于延伸至所述半导体层中的所述沟槽内；以及

顶部部分，其安置于在所述半导体层的顶面上方延伸的所述底部部分之上。

3.如权利要求2所述的图像传感器像素，其特征在于，所述底部部分基本上是梯形的，其中长边面向所述感光区而短边面向所述浮动节点。

4.如权利要求2所述的图像传感器像素，其特征在于，所述底部部分的横向于所述嵌入传送栅下方的晶体管沟道的第一尺寸短于所述顶部部分的亦横向于所述晶体管沟道的第二尺寸。

5.如权利要求1所述的图像传感器像素，其特征在于，进一步包含：

栅氧化物层，其给所述沟槽作衬，并将所述嵌入传送栅与所述感光区及所述浮动节点分隔开。

6.如权利要求5所述的图像传感器像素，其特征在于，进一步包含：

具有第一极性的阱，其邻近于所述沟槽而安置于所述半导体层内，其中所述浮动节点具有第二极性且安置于所述阱内；

具有所述第二极性的深掺杂区，其安置于在所述感光区下方的所述半导体层内；以及

具有所述第一极性的穿通阻挡件区，其安置于所述沟槽下方。

7.如权利要求6所述的图像传感器像素，其特征在于，所述穿通阻挡件区包含自对准区。

8.如权利要求6所述的图像传感器像素，其特征在于，所述阱与所述深掺杂区之间的界面形成p-n结，所述p-n结驻于所述嵌入传送栅下方以使得所述嵌入传送栅交迭所述界面。

9.如权利要求6所述的图像传感器像素，其特征在于，所述图像传感器像素包含背侧照明图像传感器像素，且其中所述阱与所述深掺杂区之间的界面形成p-n结，所述p-n结驻于偏离所述嵌入传送栅处且驻于所述浮动节点下方。

10.如权利要求6所述的图像传感器像素，其特征在于，进一步包含：

具有所述第一极性的注入区，其安置于所述半导体层内且邻接所述沟槽并在所述浮动节点之下延伸，其中所述注入区具有比所述阱高的掺杂剂浓度。

11.如权利要求6所述的图像传感器像素，其特征在于，进一步包含：

深阱，其安置于所述阱下方、具有与所述阱相同的掺杂剂极性且延伸至所述半导体层中的程度比所述深掺杂区深。

12.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述嵌入传送栅包含：

第一部分；以及

第二部分，

其中所述第一部分经掺杂以具有第一极性，

其中所述第一部分邻近于所述感光区，且所述第二部分邻近于所述浮动节点。

13.如权利要求12所述的图像传感器，其特征在于，所述第一部分及所述第二部分沿基本上正交于所述半导体层的顶面延伸的线来分割所述嵌入传送栅。

14.如权利要求12所述的图像传感器，其特征在于，所述第一部分具有与所述感光区相反的掺杂剂极性，且所述第二部分具有与所述浮动节点相同的掺杂剂极性类型。

15.如权利要求12所述的图像传感器，其特征在于，所述嵌入传送栅的所述第二部分为非掺杂的。

16.如权利要求12所述的图像传感器，其特征在于，所述第二部分具有比所述第一部分低的掺杂剂浓度。

17.如权利要求16所述的图像传感器，其特征在于，所述第二部分经掺杂以具有与所述第一极性相反的第二极性。