[发明专利]薄膜晶体管基板与其所组成的显示装置无效
申请号: | 201110245159.6 | 申请日: | 2011-08-16 |
公开(公告)号: | CN102956646A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 宋和璁;林志隆 | 申请(专利权)人: | 奇美电子股份有限公司;群康科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 与其 组成 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管基板,包括:
一基板;
一栅极线、一栅极绝缘层、一有源层依序形成于该基板上;
一源极、一漏极同时形成于该有源层上,以构成一薄膜晶体管;
一绝缘层,形成于该薄膜晶体管之上,其中该绝缘层中具有一接触孔,且该接触孔形成于部分该漏极与部分该有源层之上,以暴露部分该漏极与部分该有源层;以及
一像素电极,形成于该接触孔中与该绝缘层之上,其中该像素电极透过该接触孔电性连接至该漏极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,该接触孔部分地形成于该栅极线之上。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,该接触孔完全地形成于该栅极线之上。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,该像素电极由透明导电层所组成。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,该透明导电层包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化镉锡、氧化铝锌、氧化铟锡锌、氧化锌、氧化镉、氧化铪、氧化铟镓锌、氧化铟镓锌镁、氧化铟镓镁或氧化铟镓铝。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,该绝缘层包括一平坦层、一保护层或上述的组合。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,该平坦层由有机材料所组成。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,该有源层由非晶硅材料所组成。
9.一种薄膜晶体管基板,包括:
一基板;
一栅极线、一栅极绝缘层、一有源层依序形成于该基板上;
一源极、一漏极同时形成于该有源层上,以构成一薄膜晶体管;
一绝缘层,形成于该薄膜晶体管之上,其中该绝缘层中具有一接触孔,且该接触孔完全地形成于该栅极线之上,以暴露部分该漏极;以及
一像素电极,形成于该接触孔中与该绝缘层之上,其中该像素电极透过该接触孔电性连接至该漏极。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,该接触孔形成于部分该漏极与部分该有源层之上,以暴露部分该漏极与部分该有源层。
11.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,该绝缘层包括一平坦层、一保护层或上述的组合。
12.如权利要求11所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,该平坦层由有机材料所组成。
13.一种显示装置,包括:
如权利要求1或9所述的一薄膜晶体管基板;
一彩色滤光片基板,其中该彩色滤光片基板与该薄膜晶体管基板相对设置;
一液晶层,形成于该薄膜晶体管基板与该彩色滤光片基板之间;以及
一背光模块,形成于该薄膜晶体管基板的远离该液晶层的一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的